Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 4: BJT (Phần 2) - Hồ Trung Mỹ

Nội dung text: Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 4: BJT (Phần 2) - Hồ Trung Mỹ

1. ĐHBK Tp HCM-Khoa Đ-ĐT BMĐT GVPT: Hồ Trung Mỹ Môn học: Dụng cụ bán dẫn Chương 5 BJT 1 5.3 Thiết kế dụng cụ và các tham số hiệu năng của dụng cụ • Trong phần này ta sẽ khảo sát làm thế nào việc thiết kế dụng cụ làm ảnh hưởng hiệu năng của BJT. Qua các tham số hình học và vật liệu mà ta có thể điều khiển/kiểm soát là nồng độ tạp chất, bề rộng miền nền, diện tích dụng cụ, và trong 1 số trường hợp là sự lựa chọn dụng cụ (TD: Si hoặc GaAs, ). Thường thì ta khó thay đổi hệ thống vật liệu vì khó thay đổi công nghệ xử lý. • Các tham số hiệu năng chính mà ta muốn cải thiện là độ lợi dòng và tần số hoạt động của dụng cụ. • Ta sẽ tập trung vào chế độ tích cực thuận của BJT đề có VBE >> VT VBC >> VT • Với BJT được thiết kế tốt, ta luôn có Wb << Lb 2 1
2. Hiệu suất phát Để có hiệu suất phát cao ta cần tối thiểu IEp. Ta có các phương trình của IEn và IEp như sau: Như vậy hiệu suất phát trở thành Nếu Wbn > pha tạp chất ở B. Dĩ nhiên bề rộng miền nền cũng có giới hạn không thể quá ngắn! 3 Hệ số vận chuyển miền nền Với bề rộng miền nền nhỏ ta có Chú ý là hệ số vận chuyển miền nền B phụ thuộc vào bề rộng miền nền trung hòa (Wbn) chứ không phải bề rộng miền nền khi được chế tạo. Như vậy nó phụ thuộc vào điều kiện phân cực. Điều này làm gây ra hiệu ứng Early mà ta sẽ xét sau. 4 2
3. Độ lợi dòng và hỗ dẫn Độ lợi dòng B chung: Tỉ số của dòng thu IC trên dòng nền IB rất quan trọng vì người ta dùng dòng nền để điều khiển dụng cụ. Độ lợi dòng E chung: Từ biểu thức trên, ta thấy để có  cao ta cần pha tạp chất cao ở miền phát và bề rộng miền nền nhỏ. Một tham số quan trọng khác cho thấy hiệu năng của dụng cụ là hỗ dẫn, nó mô ta việc điều khiển dòng ra (IC) bằng phân cực ngõ vào (VBE). Hỗ dẫn có trị là IICC  IB gm VVVBE T T 5 Độ lợi dòng dc • iB và iC liên hệ qua phương trình sau: và  là – Beta xem như là hằng số với BJT cụ thể –  có trị từ 100-200 trong các dụng cụ hiện đại (nhưng có thể cao hơn) – Được gọi là độ lợi dòng CE • Để có được độ lợi dòng cao, cần có W nhỏ, NA thấp và ND cao. 6 3
4. • Các tham số hiệu năng của BJT loại PNP: I Ep – Hiệu suất phát   I Ep I En I – Hệ số vận chuyển miền nền Cp T  I Ep – Độ lợi dòng B chung ICp dc   T I E – Độ lợi dòng E chung IC dc dc   IB 1 dc 7 5.4 Các hiệu ứng thứ cấp • Điều chế miền nền-hiệu ứng Early • Đánh thủng: xuyên qua và thác lũ 8 4
5. Điều chế miền nền 9 Điện áp Early VA Q ICQ Điện trở ra ro: V VV V r CE A CEQ  A o III CQ CQ CQ VCEQ VCE 10 5
6. Sự phụ thuộc của iC vào áp collector – Hiệu ứng Early Dependence of ic on the Collector Voltage – Early Effect v BE v CE VA = 50V đến 100V VT I C I Se  1 V A (a) Conceptual circuit for measuring the i -v characteristics of the BJT. (b) The i -v characteristics of a practical BJT. C CE C CE 11 Đánh thủng trong BJT Có 2 cơ chế đánh thủng quan trọng trong BJT: (1) đánh thủng xuyên qua (punch-through breakdown) (2) đánh thủng thác lũ (avalanche breakdown) [tương tự với đánh thủng trong các tiếp xúc PN] 12 6
7. • The punch-through breakdown occurs when the reverse-bias C-B voltage is so large that the C-B and the E-B depletion regions merge. • The emitter-base barrier height for holes is affected by VBC , i.e. small increase in VBC is needed for large increase in IC . VBC increasing p+ n p Note: Punch-through voltage is usually much larger than the avalanche breakdown voltage. • The mechanism of avalanche breakdown in BJT’s depend on the circuit configuration (common-emitter or common-base configuration). 13 • For a common-base configuration, the avalanche breakdown in the C-B junction (open emitter) BVBC is obtained via the maximum (breakdown) electric field FBR (~300 kV/cm for Si and 400 kV/cm for GaAs): 2 2 ks0FBR 1 1 ks0FBR BVBC 2q N B NC 2qNC • The increase in current for voltages higher than BVBC is reflected via the multiplication factor in the current expres- sion. It equals one under normal operating conditions, and exceeds unity when avalanche breakdown occurs. • When the emitter is open, the multiplication factor for the C- B junction is: m 1 V b M 1 BC CB BV BC 14 7
8. • For a common-emitter configuration, the collector-emitter breakdown voltage BVEC is related to BVBC : I E IC Open base configuration M BC I BC0 IC M BC dcI E I BC0 IC M EC I EC0 1 dcM BC M (1 ) BC dc 1/ mb M EC BVEC BVBC 1 dc 1 dcM BC 50 Much smaller than BVBC MEC MBC 40 due to transistor action. 30 20 10 Multiplication factor Multiplication Reverse voltage 20 40 15 IC IC VEC VBC BVBC0 BVEC0 Common-base output Common-emitter output characteristics characteristics 16 8
9. Avalanche breakdown related characteristics of a bipolar transistor in the commonbase and common-emitter configurations. 17 18 9
10. Transistor (NPN) Voltage Ratings Rating Description 2N3904 VCBO VCB with emitter circuit open 60 Vdc VCEO VCE with base circuit open 40 Vdc VEBO VEB with collector circuit open 6 Vdc o = with the 3rd terminal open circuit s = with the 3rd terminal short circuit (usually B and E) x = with some specified circuit conditions 19 5.5 Các đặc tuyến của BJT • Đặc tuyến vào • Đặc tuyến ra • Đặc tuyến truyền đạt • Các giới hạn hoạt động với BJT 20 10
11. Mạch đo đặc tuyến BJT NPN 21 22 11
12. 23 24 12
13. A collector characteristic curve. Operating region? VCE = ? 25 A composite of collector characteristic curves of a BJT 26 13
14. Đặc tuyến của BJT NPN mắc CB a) Đặc tuyến vào b) Đặc tuyến ra 27 Đặc tuyến của BJT NPN mắc CE a) Đặc tuyến vào b) Đặc tuyến ra 28 14
15. Ảnh hưởng của nhiệt độ đến đặc tuyến (NPN-CE): a) Đặc tuyến vào b) Đặc tuyến ra c) Đặc tuyến truyền đạt 29 30 15
16. Hỗ dẫn gm 31 Ảnh hưởng của nhiệt độ và dòng IC đến  32 16
17. Beta () or amplification factor • The ratio of dc collector current (IC) to the dc base current (IB) is dc beta (dc ) which is dc current gain where IC and IB are determined at a particular operating point, Q-point (quiescent point). • It’s define by the following equation: IC 30 <  < 300 2N3904 dc dc IB • On data sheet, dc=hFE with h is derived from ac hybrid equivalent cct. FE are derived from forward-current amplification and common-emitter configuration respectivley. 33 • For ac conditions an ac beta has been defined as the changes of collector current (IC) compared to the changes of base current (IB) where IC and IB are determined at operating point. • On data sheet, ac=hfe • It can defined by the following equation: IC ac IB VCE=constant 34 17
18. Example : From o/p characteristics of CE configuration find ac and dc with an operating point at IB=25 A and VCE =7.5V. 35 Solution: I (mA) I C C  ac Vce constant I B IB=60 uA 6 I C 2 I C 1 3 . 2 m 2 . 2 m IB=50 uA I B 2 I B 1 30  20  5 I =40 uA 1 m B 100 4 Saturation Active region 10  I =30 uA region 3 IB2 B I =20 uA IC2 2 Q- B I C point IC IB1 I =10 uA  dc 1 B I B I C1 I =0 uA 2 . 7 m B V (V) 25  CE 15 20 V 5 10 108 CE(sat) VCE 7.5 V Cutoff region 36 18
19. Xác định dc và ac từ đặc tuyến collector 37 Limits of operation for transistor • Many BJT transistor used as an amplifier. Thus it is important to notice the limits of operations. • At least 3 maximum values is mentioned in data sheet. There are: a) Maximum power dissipation at collector: PCmax or PD b) Maximum collector-emitter voltage: VCEmax sometimes named as VBR(CEO) or VCEO. c) Maximum collector current: ICmax • There are few rules that need to be followed for BJT transistor used as an amplifier. The rules are: i) transistor need to be operate in active region! ii) IC < ICmax ii) PC < PCmax 38 19
20. Transistor limits of operation Note: VCE is at maximum and IC is at minimum (ICmax=ICEO) in the cutoff region. IC is at maximum and VCE is at minimum (VCE max = VCEsat = VCEO) in the saturation region. The transistor operates in the active region between saturation and cutoff. 39 Đọc bảng dữ liệu • BJT có công suất tiêu tán PD: 1 W BJT công suất • Định mức đánh thủng: VCB, VCEO, VEB • Dòng và công suất cực đại: IC, PD@TA, PD@TC • Hệ số giảm định mức [của công suất] • Tản nhiệt • Độ lợi dòng: – hFE = βdc (hFE phụ thuộc IC) – hfe = βac (hfe phụ thuộc tần số hoạt động) 40 20
21. Transistor Testing 41 21