Bài giảng Điện tử cơ bản - Giang Bích Ngân

251 trang ngocly 150

Download

Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Bài giảng Điện tử cơ bản - Giang Bích Ngân", để tải tài liệu gốc về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên

Tài liệu đính kèm:

bai_giang_dien_tu_co_ban_giang_bich_ngan.pdf

Nội dung text: Bài giảng Điện tử cơ bản - Giang Bích Ngân

TRƢỜNG ĐẠI HỌC CƠNG NGHIỆP TP. HCM KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐIỆN TỬ CƠ BẢN GV: Giang Bích Ngân
Điện tử cơ bản?  Nghe nhìn  Tự động hĩa  Viễn thơng  Máy tính  Đo lường  Vũ trụ  Y học  v,v,,
Mục tiêu  Kiến thức cơ bản nhất về linh kiện điện tử  Tính tốn, thiết kế vá ứng dụng các linh kiện điện tử vào trong thực tế.  Tra cứu các linh kiện.
Nội dung  Chương 1: Cơ sở điện học  Chương 2: Điện trở.  Chương 3: Tụ điện, cuộn cảm và biến thế.  Chương 4: Chất bán dẫn điện – diode.  Chương 5: Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)  Chương 6: Mạch cấp nguồn 1 chiều (nguồn điện)  Chương 7: Transistor hiệu ứng trường.  Chương 8: Bộ khuếch đại thuật tốn.
Giáo trình tham khảo  Lê Phi Yến – Lưu Phú – Nguyễn Như Anh, Kỹ thuật điện tử, đại học Bách Khoa Tp. HCM.  TS. Nguyễn Viết Nguyên, Giáo trình Linh kiện Điện tử và Ứng dụng, NXB Giáo dục, 12/2003.  Millman & Halkias, Electronic Circuits and Devices, Prentice Hall, 2000.  Malvino, Electronic Principles, 1999.
Chƣơng I: CƠ SỞ ĐIỆN HỌC MỤC TIÊU THỰC HIỆN: Học xong bài này học viên cĩ khả năng: - Hiểu được bản chất vật lý của dịng điện, các đại lượng đặc trưng của chúng. Phân biệt dịng 1 chiều và xoay chiều. - Cách thực hiện dịng điện 1 chiều và xoay chiều. - Ứng dụng
I. NGUỒN GỐC CỦA DỊNG ĐIỆN 1. Cấu tạo của vật chất: - Vật chất được cấu tạo từ các nguyên tử - những phần tử nhỏ nhất khơng thể tiếp tực phân chia. - Nguyên tử được cấu tạo gồm hạt nhân ở giữa mang điện tích dương và các electron tích điện âm ( e = -1,6. 10-19 C ) quay xung quanh nhân theo các quỹ đạo xác định nhờ lực li tâm cân bằng với lực hút của hạt nhân. - Các electron chỉ quay theo các quỹ đạo xác định được đánh dấu theo thứ tự từ trong ra ngồi K, L, M, N, O, P, Q, ,
Xét về điện tích thì vật chất sẽ ở một trong ba trạng thái sau:  Nguyên tử trung hồ về điện.  Nguyên tử trở thành ion dương.  Nguyên tử trở thành ion âm.
 Nếu n là số thứ tự của quỹ đạo thì số electron tối đa trên mỗi quỹ đạo là 2n2. Như vậy, các quỹ đạo cĩ số electron lần lượt là 2, 8, 18, 32, +1e +6e +14e Nguyên tử hydro Nguyên tử Carbon Nguyên tử silic (Si)
 Vùng hố trị (valence band).  Vùng dẫn (conduction band).  Vùng cấm (band gap energy).
2. Phân loại vật chất theo khả năng dẫn điện:  Chất điện mơi: là chất cĩ độ rộng vùng cấm >3eV. Ở điều kiện nhiệt độ phịng cũng khơng xảy ra sự dẫn điện điện tử.  Chất bán dẫn: là chất cĩ độ rộng vùng cấm <3eV. Ở điều kiện nhiệt độ phịng được kích thích các điện tử hĩa trị cĩ thể di chuyển sang vùng dẫn để tham gia vào dịng điện dẫn.  Chất dẫn điện: là chất cĩ độ rộng vùng cấm < 0.2eV. Ở điều kiện nhiệt độ phịng, các điện tử hĩa trị cĩ thể di chuyển sang vùng dẫn để trở thành điện tử tự do.
Sơ đồ phân bố vùng năng lượng của vật rắn ΔW ΔW Vùng dẫn Vùng cấm Vùng hĩa trị
3. Điện tích và định luật Coulomb: a. Điện tích: lượng điện cĩ trong vật thể mang điện gọi là điện tích. b. Định luật Culơng ( Coulomb): Giữa hai vật mang điện cách nhau1 khoảng r tồn tại một lực tương tác tĩnh điện: q1.q2 F: lực đơn vị là Newton (N) F k 2 r q1,q2 : điện tích (C) 1 r: khoảng cách (m) k 4 k: hằng số 0
Qua khảo sát lực tác dụng tương hỗ giữa các vật mang điện tích người ta nhận thấy : -Hai vật mang điện tích cùng dấu (cùng dấu âm hay cùng dấu dương) sẽ đẩy nhau. - Hai vật mang điện tích trái dấu thì hút nhau.
4. Dịng electron và dịng điện qui ƣớc  Electron tự do trong vật dẫn điện sẽ chịu tác dụng bởi lực hút, từ cực dương của nguồn điện và lực đẩy từ cực âm của nguồn điện tạo thành một luồng electron chạy theo chiều từ điện tích âm sang đầu cĩ điện tích dương trong vật dẫn điện.  Người ta qui ước: chiều của dịng điện chạy theo chiều ngược với dịng electron, tức là dịng diện sẽ đi theo chiều từ đầu điện tích dương sang dầu cĩ điện tích âm trong vật dẫn điện.
5. Điện áp Điện áp là hiệu điện thế giữa 2 điểm khác nhau của mạch điện. UAB = VA – VB = - UBA , VA, VB :điện thế của các điểm A và B so với gốc Thơng thường, một điểm nào đĩ của mạch được chọn làm điểm gốc cĩ điện thế bằng 0 (điểm đất). Khi đĩ điện thế ở mọi điểm khác trong mạch cĩ giá trị âm hoặc dương so với điểm gốc. Và điện thế này chính là điện áp tại điểm tương ứng.
II. DỊNG ĐIỆN MỘT CHIỀU (DC)  Định nghĩa: Dịng điện một chiều là dịng diện cĩ chiều và trị số khơng thay đổi theo thời gian.  Cƣờng độ dịng điện (I):Cường độ dịng điện đo bằng lượng điện tích của các điện tử tự do chuyển động cĩ hướng qua thiết điện dây dẫn trong 1 đơn vị thời gian. Q Q: điện tích (coulomb – C) I I: cường độ dịng điện (A) t t: thời gian (giây- s)
 Trong các mạch điện tử thì cường độ dịng điên cĩ trị số 1A là khá lớn nên người ta thường dùng ước số của A là: 1mA (miliampere) = 10-3A 1 A (microampere) = 10-6A
Nguồn điện 1 chiều  Các loại nguồn điện 1 chiều: Pin, acquy ( biến đổi hĩa năng thành điện năng). Pin mặt trời (biến đổi trực tiếp quang năng thành điện năng). Máy phát điện 1 chiều (biến đổi cơ năng thành điện năng) Bộ nguồn điện tử cơng suất (biến đổi điện áp xoay chiều thành điện áp 1 chiều).
Hai thơng số quan trọng của nguồn: điện áp làm việc và điện lượng. Điện lƣợng Q (Ah) là dung lượng điện chứa trong nguồn. Thời gian sử dụng nguồn (t) tuỳ thuộc vào cường độ Q dịng tiêu thụ I : t I Để tránh cho nguồn bị hư người ta giới hạn cường độ Q dịng tiêu thụ ở mức: I ≤ 10h
Các cách ghép nguồn điện 1 chiều  Ghép nối tiếp: U = U1 + U2 + U3 Q = Q1 = Q2 = Q3  Ghép song song: U = U1 = U2 = U3 Q = Q1 + Q2 + Q3  Ghép hỗn hợp: U = U1 + U2 + U3 Q = Q1 + Q2 + Q3
III. DỊNG ĐIỆN XOAY CHIỀU  Định nghĩa: Dịng điện xoay chiều hình sine là dịng biến đổi theo thời gian một cách tuần hồn với qui luật hình sine: i(t) = Imax sin (ωt + φ) ω tần số gĩc quan hệ với tần số f : ω = 2Лf Chu kỳ T là khoảng thời gian ngắn nhất để dịng điện lặp lại giá trị và chiều biến thiên. Tần số f (hertz – Hz) là số chu kỳ của dịng điện xoay chiều trong thời gian 1 giây: f = 1/ T
Đại lượng đặc trưng cho dịng điện xoay chiều  Giá trị đỉnh Up: Điện áp của dịng điện xoay chiều cĩ thể đạt giá trị cực đại Umax hoặc giá trị cực tiểu –Umax , ta gọi giá trị đỉnh U p = Umax.  Giá trị trung bình: U = 0.63 Up  Giá trị hiệu dụng: U = 0.707 Up
IV. Cơng và cơng suất của dịng điện Cơng: Năng lượng điện cĩ thể chuyển đổi thành các dạng năng lượng khác: Bàn ủi, bếp điện, bĩng đèn, động cơ điện, bình điện phân Ta nĩi dịng điện thực hiện 1 cơng: W (J) = U(V) . I(A) . t(s) J (Joule) = w.s, 1kWh = 1000Wh = 3.600.000Ws Cơng suất: Cơng của dịng điện sinh ra trong 1 đơn vị thời gian (1s). P = W/ t = U.I (watt)
Chương II: ĐIỆN TRỞ MỤC TIÊU THỰC HIỆN: Học xong bài này học viên cĩ khả năng: - Nắm được bản chất vật lý hoạt động của điện trở. - Tính tốn và ứng dụng điện trở vào trong các mạch điện – điện tử và vào trong thục tế.
I. ĐIỆN TRỞ CỦA DÂY DẪN Một dây dẫn điện cĩ trị số điện trở lớn hay nhỏ tùy thuộc vào vật liệu làm dây, tỉ lệ thuận với chiều dài và tỉ lệ nghịch với tiết diện dây dẫn. R= ρ. l s ρ: điện trở suất (Ωm hoặc Ωmm2/m) l: chiều dài (m) s: tiết diện (mm2) R: điện trở dây dẫn (Ω)
Điện trở cĩ đơn vị tính là Ohm (Ω). Các bội số của (Ω) là: Kiloohm: 1KΩ = 103Ω, Megaohm: 1MΩ = 106 Ω Điện trở suất của một số chất tiêu biểu là: 2  Bạc: ρ = 0,016 Ωmm /m 2  Đồng: ρ = 0,017 Ωmm /m 2  Vàng: ρ = 0,02 Ωmm /m 2  Nhơm: ρ = 0,026 Ωmm /m 2  Kẽm: ρ = 0,06 Ωmm /m 2  Thủy tinh: ρ = 1018 Ωmm /m
Trong thực tế, điện trở suất cĩ trị số thay đổi theo nhiệt độ và được tính bằng cơng thức: ρ = ρ0 ( 1+ at) o ρ0: điện trở suất ở 0 C a: hệ số nhiệt t: Nhiệt độ Kí hiệu của điện trở: R R
II. ĐỊNH LUẬT OHM Cường độ dịng điện trong mạch sẽ tỉ lệ thuận với điện áp và tỉ lệ nghịch với điện trở trong mạch đĩ. V I R I: cường độ dịng điện (A) V: điện áp (V) R: điện trở (Ω)
Định luật ohm trong mạch kín  Định luật Ohm mạch kín : I = ΣU/ΣR ΣU : tổng điện thế có trong mạch kín ΣR : tổng điện trở có trong mạch kín I R1 U1 U1+U2+U3 U2 I = U3 R1+R2 R2
III. ĐIỆN TRỞ THAN 1. Cấu tạo: Điện trở than được cấu tạo từ hỗn hợp của bột than và các chất khác, tùy theo tỉ lệ pha trộn mà điện trở cĩ trị số lớn hay nhỏ, bên ngồi điện trở được bọc bằng lớp cách điện. Trị số của điện trở được kí hiệu bằng các vịng màu trên thân điện trở theo quy ước của Hoa Kỳ (E.I.A = Electronic Industries Association)
2. Các thơng số cần quan tâm khi dùng điện trở  Giá trị điện trở (Ω ,kΩ ,MΩ ,GΩ)  Sai số hay dung sai là mức thay đổi tương đối của giá trị thực so với giá trị danh định sản xuất được ghi trên điện trở tính theo %  Công suất của điện trở : là trị số chỉ công suất tiêu tán tối đa cho phép tính bằng wát (W). Chọn công suất của điện trở PR ≥ 2.P (P: công suất do dòng điện sinh ra trên điện trở)
3. Bảng quy ước vịng màu điện trở (theo chuẩn E.I.A) VỊNG Vịng A Vịng B Vịng C Vịng D MÀU (số thứ nhất) (số thứ hai) (bội số) (sai số) Đen 0 100 ( 20% với khơng vịng màu) Nâu 1 1 101 1% Đỏ 2 2 102 2% Cam 3 3 103 Vàng 4 4 104 lục 5 5 105 lam 6 6 106 Tím 7 7 107 Xám 8 8 108 Trắng 9 9 109 Vàng kim 10-1 5% Bạc kim 10-2 10%
4. Cách đọc giá trị điện trở bằng các vịng màu a. Điện trở ba vịng màu: R = (AB × C) ± 20% Vịng A: số thứ nhất Vịng B: số thứ hai Vịng C: bội số
b. Điện trở bốn vịng màu: R = (AB × C) ± D Vịng A: số thứ nhất Vịng B: số thứ hai Vịng C: bội số Vịng D: sai số
c. Điện trở năm vịng màu: R = (ABE × C) ± D Vịng A: số thứ nhất Vịng B: số thứ hai Vịng C: số thứ ba Vịng D: bội số Vịng E: sai số
5. Cách đọc điện trở theo quy định đánh số trực tiếp Số trực tiếp (Ω) + Chữ cái thứ 1+ Số lẻ + Chữ cái thứ 2 Bội số của Ω Dung sai R = 100 Ω M = 20% K = 103 Ω K = 10% M = 106 Ω J = 5% H = 2,5% G = 2% Ví dụ : 8K2J => 8,2kΩ 5% F = 1%
6. Bảng quy ước giá trị điện trở chuẩn SAI SỐ (%) 5% 1% 5% 1% 10 10 33 33 11 36 12 12 39 39 18 13 43 15 47 47 16 51 18 56 56 20 62 22 22 68 68 24 75 27 27 82 82 30 91
7. Cơng suất của điện trở Tuỳ theo kích cỡ của điện trở mà điện trở cĩ cơng suất lớn hay nhỏ với trị số gần đúng như sau: Cơng suất ¼ W thì R cĩ chiều dài ≈ 0,7cm. Cơng suất ½ W thì R cĩ chiều dài ≈ 1 cm. Cơng suất 1W thì R cĩ chiều dài ≈ 1,2 cm. Cơng suất 2 W thì R cĩ chiều dài ≈1,6 cm. Cơng suất 4 W thì R cĩ chiều dài ≈2,4 cm. Những điện trở cĩ cơng suất lớn hơn thường là điện trở dây quấn.
V. CÁC LOẠI ĐIỆN TRỞ 1. Phân loại điện trở theo cấu tạo:  Điện trở than nén là loại điện trở dùng bột than ép lại dạng thanh, bên ngồi được bảo vệ bằng lớp vỏ giấy phủ gốm hay lớp sơn. Trị số điện trở từ 10Ω – 22MΩ. Cơng suất từ 1/4 W - 1W.  Điện trở màng kim loại được sản xuất từ quá trình kết lắng màng Nicken- Crom, cĩ trị số ổn định hơn điện trở than nên giá thành cao. Cơng suất của điện trở này thường là ½ W.
 Điện trở oxit kim loại được sản xuất từ oxit - thiếc nên chịu được nhiệt độ cao và độ ẩm cao, cơng suất thường là ½ W  Điện trở dây quấn dùng các loại hợp kim Ni-Cr để chế tạo các loại điện trở cần trị số nhỏ hay cần dịng điện chịu đựng cao. Cơng suất từ 1W- 25W.
2. Phân loại theo cơng dụng a. Biến trở - chiết áp: (Variable Resistor- VR) Cấu tạo gồm một điện trở màng than hay dây quấn cĩ dạng hình cung, cĩ gĩc xoay là 2700C. Cĩ một trục xoay ở giữa nối với một con trượt làm bằng than (cho biến trở dây quấn) hay bằng kim loại cho biến trở than. Con trượt sẽ ép lên mặt điện trở để tạo kiểu nối tiếp xúc, làm thay đổi trị số điện trở khi xoay trục.
KÝ HIỆU, HÌNH DẠNG BIẾN TRỞ Biến trở dây quấn là loại biến trở tuyến tính, cĩ tỷ số điện trở tỷ lệ với gĩc xoay. Biến trở than cĩ loại tuyến tính, cĩ loại trị số thay đổi theo hàm logarít. Biến trở than cĩ cơng suất danh định thấp từ 1/4W – 1/2W. Biến trở dây quấn cĩ cống suất cao hơn từ 1W – 3W.
b. Nhiệt trở: (Thermistor- Th) Th Nhiệt trở cĩ hệ số nhiệt âm - nhiệt trở âm (NTC – Negative Temperature Coefficient) là loại nhiệt trở khi nhận nhiệt độ cao hơn thì trị số điện trở giảm xuống, và ngược lại. Nhiệt trở cĩ hệ số nhiệt dương - nhiệt trở dương (PTC– Positive Temperature Coefficient) là loại nhiệt trở khi nhận nhiệt độ cao hơn thì trị số điện trở tăng lên, và ngược lại.
c. Quang trở(Photo Resistor) Cds  Quang trở thường được chế tạo từ chất Sunfur - catmium Khi độ chiếu sáng vào quang trở càng mạnh thì điện trở cĩ trị số càng nhỏ và ngược lại.  Quang trở thường đuợc dùng trong các mạch tự động ĐK bằng ánh sáng, báo động
d. Điện trở cầu chì (Fusistor) F  Điện trở cầu chì cĩ tác dụng bảo vệ quá tải như các cầu chì của hệ thống điện nhà, bảo vệ cho mạch nguồn hay các mạch cĩ dịng tải lớn như các transistor cơng suất.  Điện trở cầu chì thường cĩ trị số rất nhỏ, khoảng vài .
e. Điện trở tùy áp: (Voltage Dependent Resistor - VDR) VDR VDR  Là loại điện trở cĩ trị số thay đổi theo trị số điện áp đặt vào hai đầu. Khi điện áp đặt vào hai đầu của điện trở dưới mức quy định thì VDR cĩ trị số điện trở rất lớn, coi như hở mạch. Khi điện áp giữa hai đầu tăng cao quá mức quy định thì VDR cĩ trị số giảm xuống rất thấp, coi như ngắn mạch.
VI. CÁC KIỂU GHÉP ĐIỆN TRỞ 1. Điện trở ghép nối tiếp R R1 R2 R3 U1 U2 U3 I I U U R = R1 + R2 + R3
2. Điện trở ghép song song I I I1 I2 I3 U U R R1 R2 R3 1/R = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3
VII.CÁC ỨNG DỤNG CỦA ĐIỆN TRỞ  Trong sinh hoạt, điện trở được dùng để chế tạo các loại dụng cụ điện như: bàn ủi, bếp điện, bĩng đèn sợi đốt  Trong cơng nghiệp, điện trở được dùng chế tạo các thiết bị sấy, sưởi, giới hạn dịng điện khi khởi động động cơ  Trong linh vực điện tử, điện trở dùng để giới hạn dịng điện hay hay giảm áp.
CHƯƠNG 3: TỤ ĐIỆN – CUỘN CẢM BIẾN THẾ MỤC TIÊU THỰC HIỆN: Học xong bài này học viên cĩ khả năng: - Nắm được bản chất vật lý hoạt động của các linh kiện tụ điện, cuộn cảm, biến thế. - Tính tốn và ứng dụng tụ điện, cuộn cảm, biến thế vào trong các mạch điện – điện tử và vào trong thực tế.
PHẦN I. TỤ ĐIỆN I. Cấu tạo của tụ điện: Tụ điện gồm cĩ hai bản cực bằng kim loại đặt song song và ở giữa là một lớp cách điện (gọi là chất điện mơi).
II. ĐẶC TÍNH CỦA TỤ ĐIỆN ĐỐI VỚI NGUỒN DC 1. Điện dung (C) : chỉ khả năng chứa điện của tụ. Điện dung của tụ tùy thuộc vào cấu tạo và được tính bằng cơng thức :  : hằng số điện mơi S C  S : diện tích bản cực (m2) d d : bề dày lớp điện mơi (m) Không khí khô Parafin Ebonit Giấy tẩm dầu Gốm Mica 1 2 2.7-2.9 3.6 5.5 4-5 1 μF = 10-6F 1nF = 10-9F 1pF = 10-12F
2. Điện tích tụ nạp Nếu nối nguồn DC vào tụ với thời gian đủ dài thì tụ sẽ nạp đầy. Điện tích tụ nạp được tính theo cơng thức Q = C. V Q: điện tích (C) C: điện dung (F) V: điện áp nạp trên tụ (volt)
3. Năng lượng tụ nạp và xả Dịng điện do tụ xả qua bĩng đèn trong thời gian đèn sáng chính là năng lượng đã được nạp trong tụ điện và tính theo cơng thức : K W: điện năng (J) 1 2 W C.V C: điện dung (F) VDC 2 C Đ V: điện áp trên tụ (V)
4. Điện áp làm việc Trên thân tụ, nhà SX cho biết mức điện áp giới hạn của tụ điện gọi là điện áp làm việc (WV: Working voltage). Điện áp đánh thủng (breakdown) là điện áp tạo ra điện trường đủ mạnh để tạo ra dịng điện trong chất điện mơi.
Điện áp đánh thủng tỉ lệ theo bề dày lớp điện mơi nên người ta dùng điện trường đánh thủng để so sánh giữa các chất điện mơi . E: điện trường (kV/cm) V V: điện áp (KV) E d: bề dày điện mơi (cm) d Không khí khô Parafin Ebonit Giấy tẩm dầu Gốm Mica kV/cm 32 200-250 600 100-250 150-200 500
5. Thơng số kỹ thuật đặc trưng của tụ điện Khi sử dụng tụ điện phải biết hai thơng số chính của tụ là:  Điện dung C (F)  Điện áp làm việc WV (V) Phải chọn điện áp làm việc WV lớn hơn điện áp trên tụ VC theo cơng thức: WV ≥ 2VC
III. PHÂN LOẠI TỤ ĐIỆN  Tụ cĩ phân cực tính dương và âm: Tụ hĩa và tụ Tan Tan.  Tụ khơng phân cực tính, được chia làm nhiều loại (các loại tụ điện cịn lại).
1. Tụ oxit hĩa ( tụ hĩa) Là loại tụ cĩ phân cực tính âm và dương. Tụ cĩ cấu tạo gồm hai bản cực bằng nhơm tách rời nhờ một màng mỏng chất điện phân. Khi sử dụng phải lắp đúng cực tính, nếu khơng lớp điện mơi sẽ bị phá hủy và làm hỏng tụ.
HÌNH DẠNG CỦA TỤ HĨA
2. Tụ gốm ( tụ Ceramic) Là loại tụ khơng cĩ cực tính, cĩ trị số điện dung nhỏ (1pF đến 1 µF) nhưng điện áp làm việc lớn khoảng vài trăm voltage. Tụ gốm cĩ nhiều hình dang khác nhau và cĩ nhiều cách ghi trị số điện dung khác nhau.
HÌNH DẠNG CỦA TỤ GỐM
Ngồi ra, trị số điện dung của tụ điện cịn được kí hiệu bằng các vạch màu và vịng màu. Cách kí hiệu vịng màu của tụ điện cũng giống như cách quy ước của điện trở. Vịng A: hệ số nhiệt. Vịng B: số thứ nhất. Vịng C: số thứ hai. Vịng D: bội số. Vịng E: sai số.
3. Tụ giấy Là loại tụ khơng cĩ cực tính. Tụ cĩ cấu tạo gồm hai bản cực bằng kim loại dạng băng dài, ở giữa là lớp điện mơi bằng giấy tẩm dầu và được cuộn lại dạng ống. Tụ giấy cĩ điện áp đánh thủng lớn lên đến vài trăm voltage.
CẤU TẠO VÀ HÌNH DẠNG TỤ GIẤY
4. Tụ mica Là loại tụ khơng cĩ cực tính, cĩ điện dung nhỏ ( khoảng vài pF đến vài trăm nF) nhưng điện áp làm việc rất cao, lên đến trên 1000 V. Tụ này đắt tiền hơn tụ gốm vì sai số nhỏ, đáp tuyến cao tần tốt, độ bền cao. Trị số điện dung của tụ được ký hiệu bằng các chấm màu trên thân, cách đọc giống như đọc trị số điện trở.
CẤU TẠO - HÌNH DẠNG TỤ MICA
BẢNG MÃ QUY ƯỚC VẠCH MÀU CHO TỤ MI CA
5. Tụ tan tan : Là loại tụ cĩ cực tính, cĩ kích thước rất nhỏ nhưng điện dung lớn, điện áp làm việc thấp chỉ vài chục voltage.
HÌNH DẠNG CỦA TỤ TAN TAN
6. Tụ màng mỏng Là loại tụ khơng cĩ cực tính. Chất điện mơi là màng polyester (PE) hoặc polyetylen (PS). Tụ cĩ điện dung vài trăm pF đến vài chục µF, nhưng điện áp làm việc cao hàng ngàn volt
HÌNH DẠNG TỤ MÀNG MỎNG PE (PE FILM CAPACITOR) HÌNH DẠNG TỤ MÀNG MỎNG PS (PS FILM CAPACITOR)
7. Tụ cĩ giá trị điện dung thay đổi:  Điện dung thay đổi nhờ xoay trục vít để điều chỉnh phần diện tích trùng nhau giữa các phiến kim loại.  Phần trùng nhau càng nhiều thì giá trị tụ càng tăng.
IV. ĐẶC TÍNH NẠP – XẢ CỦA TỤ ĐIỆN 1. Tụ nạp điện Khi mắc tụ với một nguồn điện, tụ sẽ nạp điện, bắt đầu từ 0V tăng dần VDC theo hàm mũ e với thời gian t. Điện áp tức thời trên hai đầu tụ: t K R  vc (t) VDC (1 e ) t: thời gian tụ nạp (s) VDC C e = 2,71828  R C : hằng số thời gian tụ nạp (s)
Khi tụ nạp thì dịng điện giảm dần từ trị V số cực đại ban đầu là I DC xuống trị số cuối cùng là 0A. R V t i (t) DC e  C R t: thời gian tụ nạp (s) e = 2,71828  R C : hằng số thời gian tụ nạp (s)
V VDC /R VDC 0,99 0,95 0,98 0,8VDC 0,86 vC(t) 0,63 0,6VDC 0,4VDC 0,37 iC(t) 0,2VDC 0,14 0,05 0,02 0,01 τ 2τ 3τ 4τ 5τ t
2. Tụ xả điện • Chuyển khĩa K qua vị trí 2, khi đĩ tụ xả điện qua điện trở R. Lúc này điện áp trên tụ sẽ giảm dần từ trị số VDC xuống đến 0V theo hàm số mũ với thời gian t. • Điện áp xả trên hai đầu tụ được tính theo cơng thức: t  vC VDC e • Dịng điện xả cũng giảm dần từ trị số cực đại V ban đầu là I DC xuống trị số cuối cùng là 0A. R V t i (t) DC e  C R
V VDC /R VDC 0,8VDC 0,6VDC vC xả(t) 0,4VDC 0,37 i (t) 0,2VDC C xả 0,14 0,05 0,02 0,01 0 τ 2τ 3τ 4τ 5τ t
V. CÁC KIỂU GHÉP TỤ 1. Ghép nối tiếp – Khi ghép nối tiếp 2 tụ điện lại với nhau 1 1 1 C C1 C2 2. Ghép song song – Khi ghép song song hai tụ với nhau C = C1+ C2
VI. CÁC ỨNG DỤNG CỦA TỤ ĐIỆN 1. Tụ dẫn điện ở tần số cao 2. Tụ nạp xả điện trong mạch lọc
PHẦN II: CUỘN DÂY (CUỘN CẢM) 1. Cấu tạo Cuộn cảm cĩ cấu tạo gồm một dây dẫn điện cĩ bọc Sơn cách điện (emay, hay cịn gọi là dây điện từ) quấn nhiều vịng liên tiếp nhau trên một lõi. Lõi của cuộn dây cĩ thể là một ống rỗng (lõi khơng khí), sắt bụi hay sắt lá. Tùy loại lõi khác nhau mà cuộn cảm cĩ kí hiệu khác nhau.
KÍ HIÊU,CẤU TẠO VÀ HÌNH DẠNG CUỘN CẢM Lõi sắt Lõi sắt bụi Lõi khơng miếng khí Thường dùng Thường dùng trong Thường dùng trong mạch mạch dao động, trong mạch tần số thấp lọc, cộng hưởng cộng hưởng
2. Các tham số của cuộn dây • Hệ số tự cảm (điện cảm) L : đặc trưng cho khả năng tích trữ năng lượng từ trường của cuộn dây. • Hệ số tự cảm phụ thuộc vào số vòng dây n,tiết • diện S, chiều dài l và vật liệu làm lõi n2 Cuộn dây khơng cĩ lõi: L 4 S 10 7 l n2 L  4 S 10 7 Cuộn dây cĩ lõi: r l L: hệ số tự cảm (H) l: chiều dài lõi (m). S: tiết diện lõi (m2) n: số vịng dây. μr: hệ số từ thẩm tương đối của vật liệu đối với chân khơng.
• Khi cho dịng điện I chạy qua cuộn dây cĩ n vịng dây sẽ tạo ra từ thơng Ф. Quan hệ giữa L với dịng điện I và từ thơng Ф là:  L n L: hệ số tự cảm (Henry) I • Nếu giá trị dịng điện chạy trong cuộn dây thay đổi, từ trường phát sinh từ cuộn dây cũng thay đổi gây ra 1 sức điện động cảm ứng e trên cuộn dây và cĩ xu thế  đối lập lại dịng điện ban đầu e n t  n e  Suy ra: t  L  t n e L  t
3. Năng lượng nạp vào cuộn dây Khi cho dịng điện chạy qua cuộn dây sẽ tạo ra năng lượng trữ dưới dạng từ trường. Năng lượng trữ được tính theo cơng thức: 1 W: năng lượng (J). W LI 2 L: hệ số tự cảm (H). 2 I: cường độ dịng điện (A).
4. Đặc tính nạp xã của cuộn dây: Khi đĩng khĩa K thì cuộn dây chống lại dịng điện do nguồn cung cấp VDC bằng cách tạo ra điện áp cảm ứng bằng với điện áp nguồn VDC nhưng ngược dấu nên dịng điện bằng 0A. Sau đĩ dịng điện qua cuộn dây tăng lên theo hàm số mũ: K t R V i(t) DC (1 e  ) R VDC L L hằng số thời gian nạp  R điện của cuộn dây (s)
Ngược lại với dịng điện, điện áp trên cuộn dây lúc đầu bằng với điện áp nguồn VDC, sau đĩ điện áp giảm dần theo hàm số mũ e với thời gian, và được tính theo cơng thức: t  v(t) VDC e
V VDC V /R DC 0,99 0,95 0,98 0,86 0,8VDC i(t) 0,63 0,6VDC 0,4VDC 0,37 v(t) 0,2VDC 0,14 0,05 0,02 0,01 0 τ 2τ 3τ 4τ 5τ t
5. CÁC CÁCH GHÉP CUƠN DÂY 1. Ghép nối tiếp: L1 VDC L2 L = L1 + L2 2. Ghép song song: 1 1 1 VDC L1 L2 L L1 L2
PHẦN III: BỘ BIẾN ÁP 1. Cấu tạo: Máy biến áp cĩ cấu tạo gồm hai hay nhiều cuộn dây (được tráng sơn cách điện quấn chung trên một lõi (mạch từ)
KÍ HIỆU, CẤU TẠO VÀ HÌNH DẠNG CỦA MÁY BIẾN ÁP
2. Nguyên lý hoạt động: Khi cho dịng xoay chiều cĩ điện áp V1, cường độ I1 vào Cuộn sơ cấp N1 từ trường biến thiên sẽ chạy trong mạch từ. Từ thơng qua cuộn thứ cấp N2 thay đổi, cảm ứng cho ra dịng điện xoay chiều cĩ điện áp V2.  V e N 1 1 1 t  V e N 2 2 2 t N1 là số vịng dây quấn cuộn sơ cấp. N2 là số vịng dậy quấn cuộn thứ cấp.
3. Các tỉ lệ của biến áp a. Tỉ lệ về điện áp: V N 1 1 V2 N 2 b. Tỉ lệ về dịng điện I1 N 2 N1.I1 N 2 .I 2 I 2 N1 c. Tỉ lệ về tổng trở R N 1 ( 1 ) 2 R2 N 2
VII. MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA CUỘN DÂY 1. Micro điện động: Là linh kiện điện tử dùng để biến đổi chấn động âm thanh thành dịng điện xoay chiều (hay cịn gọi là tín hiệu xoay chiều). 2. Loa điện động: Là linh kiện điện từ dùng biến đổi dịng điện xoay chiều thành chấn động âm thanh.
CHƯƠNG IV: CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN DIODE BÁN DẪN MỤC TIÊU THỰC HIỆN: Học xong bài này học viên cĩ khả năng: - Hiểu được cấu trúc vật lý của các chất bán dẫn. - Nắm vững bản chất vật lý sự hình thành và đặc trưng của tiếp giáp p-n – phần tử cơ bản của các linh kiện bán dẫn. - Biết sử dụng các loại diode trong các mạch điện tử chức năng.
I. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN 1. Đặc tính của chất bán dẫn a. Điện trở suất Hai chất bán dẫn thơng dụng là Silicium và Germanium cĩ điện trở suất là: 14 2 ρSi = 10 Ωmm /m 12 2 ρGe = 8,9.10 Ωmm /m b. Ảnh hưởng của nhiệt độ Điện trở của chất bán dẫn thay đổi rất lớn theo nhiệt độ, khi nhiệt độ tăng cao thì điện trở của chất bán dẫn giảm xuống.
c. Ảnh hưởng của ánh sáng Chất bán dẫn cĩ trị số điện trở rất lớn khi bị che tối, khi cĩ ánh sáng chiếu vào thì điện trở giảm xuống. d. Ảnh hưởng của độ tinh khiết Một khối chất bán dẫn tinh khiết cĩ điện trở rất lớn, nhưng nếu pha thêm vào một tỉ lệ rất thấp các chất thích hợp thì điện trở của chất bán dẫn giảm xuống rõ rệt. Tỉ lệ pha càng cao thì điện trở giảm càng nhỏ.
2. Chất bán dẫn thuần Tinh thể silicon là một bán dẫn thuần nếu như mọi nguyên tử trong tinh thể đều là nguyên tử Silicon. Trong chất bán dẫn thuần, năng lượng nhiệt tạo ra một cặp điện tử tự do và lỗ trống bằng nhau. Điện tử tự do và lỗ trống thường được gọi là hạt tải điện.
3. Chất bán dẫn loại N (Negative) • Khi pha thêm vào chất bán dẫn nguyên chất một lượng rất ít tạp chất nguyên tố nhĩm 5 chẳng hạn pha arsenic (As) vào Ge, phosphorus (P) vào Si thì trong số 5 điện tử của vỏ ngồi cùng của nguyên tử tạp chất P thì cĩ 4 điện tử tham gia liên kết hĩa trị với các nguyên tử lân cận. Điện tử thứ 5 liên kết yếu hơn với hạt nhân và các nguyên tử xung quanh, chỉ một năng lượng nhỏ cũng giúp điện tử này thốt khỏi ràng buộc và trở thành electron tự do, nguyên tử tạp chất trở thành ion dương.
 Như vậy tạp chất nhĩm V cung cấp điện tử cho chất bán dẫn nguyên chất nên gọi là tạp chất cho (donor).  Vì điện tử là hạt dẫn đa số, lỗ trống là hạt dẫn thiểu số nên chất bán dẫn loại này gọi là bán dẫn điện tử - loại n
4. Chất bán dẫn loại P ( Positive) • Nếu pha thêm vào chất bán dẫn nguyên chất 1 lượng rất ít tạp chất nguyên tố nhĩm III [Indium (In) vào Ge, boron (B) vào Si], do lớp vỏ ngồi cùng của nguyên tử tạp chất chỉ cĩ 3 điện tử, khi tham gia vào mạng tinh thể chỉ cĩ 3 mối liên kết hồn chỉnh cịn liên kết thứ 4 bị hở. Chỉ cần một năng lượng nhỏ, một trong những điện tử của mối liên kết hồn chỉnh bên cạnh sẽ đến thế vào liên kết bỏ hở này. Nguyên tử tạp chất trở thành ion âm tức là xuất hiện 1 lỗ trống.
 Như vậy tạp chất nhĩm III nhận điện tử từ chất cơ bản để sản sinh các lỗ trống, nên được gọi là tạp chất nhận (acceptor)  Vì lỗ trống là hạt dẫn đa số, điện tử là hạt dẫn thiểu số nên chất bán dẫn loại này gọi là bán dẫn lỗ trống – loại p
II. DIODE BÁN DẪN 1. Cấu tạo • Diode bán dẫn cĩ cấu tạo gồm hai lớp bán dẫn loại P và loại N ghép nối tiếp nhau tạo thành một mối nối P- N. Mối nối này nhạy cảm với tác động của điện, quang, nhiệt. • Trong vùng bán dẫn loại P cĩ nhiều lỗ trống, vùng loại N cĩ nhiều e tự do. Khi hai vùng tiếp xúc với nhau sẽ cĩ một số e từ vùng N qua mối nối sang vùng P tái hợp với lỗ trống.
 Trong vùng N ở gần mối nối bị mất e thì sẽ trở thành mang điện tích dương (ion dương), vùng P ở gần mối nối nhận thêm e trở thành mang điện tích âm (ion âm). Hiện tượng này tiếp diễn tới khi điện tích âm của vùng P đủ lớn đẩy khơng cho e từ vùng N sang nữa
Sự chênh lệch về điện tích ở hai bên mối nối như vậy gọi là hàng rào điện áp.
KÍ HIỆU VÀ HÌNH DẠNG CỦA DIODE
2. Nguyên lý vận chuyển của Diode a. Phân cực ngược Diode • Khi đĩ điện tích âm của nguồn sẽ hút lỗ trống của vùng P, điện tích dương của nguồn sẽ hút e của vùng N làm cho lỗ trống và e ở hai bên mối nối càng xa nhau hơn nên khơng xảy ra hiện tượng tái hợp giữa e và lỗ trống.
 Tuy nhiên, trong trường hợp này vẫn cĩ 1 dịng điện rất nhỏ chạy qua D với trị số khoảng vài nA. Dịng điện này gọi là dịng bão hịa nghịch (dịng điện rỉ - IS) phát sinh do sự tái hợp giữa các hạt tải thiểu số gây ra.
b. Phân cực thuận Diode Khi đĩ: Điện tích dương của nguồn sẽ đẩy các lỗ trống của vùng P, điện tích âm của nguồn sẽ đẩy e của vùng N làm cho lỗ trống và e lại gần mối nối hơn, và khi lực đẩy tĩnh điện đủ lớn thì e từ vùng N qua mối nối sang vùng P tái hợp với lỗ trống.
Như vậy đã cĩ một dịng e chạy liên tục từ cực âm của nguồn, qua vùng N, sang vùng P, về cực dương của nguồn, hay nĩi cách khác là cĩ dịng điện chạy qua D theo chiều từ P sang N.
3. Đặc tuyến volt – Ampe của diode
Khi PCT Diode với nguồn biến đổi được, người ta đo dịng điện ID qua D và điện áp VD trên hai chân A- K thì thấy: • Khi VDC = 0 thì chưa cĩ dịng điện qua Diode. • Khi VDC = Vγ thì mới bắt đầu cĩ dịng điện qua Diode. Vγ = 0,6 - 0,7V với Diode làm bằng Si. Vγ = 0,2 - 0,3V với Diode làm bằng Ge. • Khi D dẫn điện thì điện áp cực đại VDmax trên Diode là: VDmax = 0,8 ÷ 0,9V với Diode làm bằng Si. VDmax = 0,4 ÷ 0,5V với Diode làm bằng Ge.
• Sau khi vượt qua điện áp ngưỡng Vγ thì dịng điện qua D sẽ tăng lên theo hàm số mũ và được tính bằng cơng thức: q.VD K .T I D I S .(e 1) q = 1,6. 10-19 Culơng VD: điện áp trên D (V) K: hằng số Bơnzman K = 1,38. 10-23 J/K T: nhiệt độ tuyệt đối (0K) IS: dịng bão hịa nghịch (A) 250C = 2980K
• Thế số vào ta được cơng thức dạng đơn giản: VD 26mV I D I S .(e 1) VD • Khi PCT : VD > Vγ thì e 26mV >> 1 nên: VD 26mV I D I S .e • Khi PCN: VD< 0V thì << 1 nên: I D I S
Như vậy, một diode cĩ các thơng số kỹ thuật cần biết khi sử dụng là: - Chất bán dẫn chế tạo để cĩ V và VDmax - Dịng điện thuận cực đại IFmax - Dịng điện bão hồ nghịch I S - Điện áp nghịch cực đại VRmax Thí dụ: bảng tra các diode nắn điện thơng dụng. Mã số Chất IFmax IS VRmax 1N4004 Si 1A 5 A 500V 1N4007 Si 1A 5 A 1000V 1N5408 Si 3A 5 A 1000V
4. Điện trở của Diode a. Điện trở một chiều VD RD I D b. Điện trở động VD 26mV rD trên thực tế: rD I D I D (mA)
5. Hình dạng và cách kiểm tra Diode
HÌNH DẠNG MỘT SỐ LOẠI DIODE
b. Cách kiểm tra Diode Dùng đồng hồ V.O.M thang đo Ω với R×1 để kiểm tra Chất Điệntrở thuận Điện trở nghịch Si Vài KΩ Vơ cực Ω Ge Vài trămΩ Vài trăm KΩ
III. ỨNG DỤNG CỦA DIODE 1. Mạch chỉnh lưu bán kỳ
2. Mạch chỉnh lưu cầu
IV. PHÂN LOẠI DIODE 1. Diode Zener • Diode Zener cĩ cấu tạo giống diode chỉnh lưu nhưng được pha tạp chất với tỷ lệ cao hơn và thường dùng chất bán dẫn chính là Si. • Ở trạng thái PCT: DZ cĩ đặc tính giống như Diode chỉnh lưu thơng thường. • Ở trạng thái PCN: do đựơc pha với tỷ lệ tạp chất cao hơn nên điện áp ngược cĩ trị số thấp hơn so với Diode chỉnh lưu gọi là điện áp Zener VZ (VD: 5V; 6v; 8v; 9v; 12v ) • DZ thường được ứng dụng làm linh kiện ổn định điện áp trong mạch cĩ điện áp nguồn thay đổi.
KÝ HIỆU VÀ HÌNH DẠNG CỦA DIODE ZENER
ĐẶC TUYẾN CỦA ZENER DIODE
CÁCH MẮC ZENER DIODE
2. Diode quang (photo diode) • Photo diode cĩ cấu tạo giống D chỉnh lưu nhưng vỏ bọc cách điện cĩ một phần là kính hay thủy tinh trong suốt để nhận ánh sáng bên ngồi chiếu vào mối nối P-N. • Mối nối P- N phân cực nghịch khi được chiếu sáng vào mặt tiếp giáp sẽ phát sinh hạt tải thiểu số qua mối nối và dịng điện biến đổi một cách tuyến tính với cường độ ánh sáng (lux) chiếu vào nĩ. Khi bị che tối: Rnghịch = vơ cực Ω ; Rthuận = rất lớn. Khi chiếu sáng: Rnghịch 10 kΩ ÷100 kΩ ; Rthuận = vài trăm Ω.
KÝ HIỆU VÀ HÌNH DẠNG CỦA DIODE QUANG Diode quang thường được dùng trong các hệ thống tự động điều khiển bằng ánh sáng, báo cháy
3. Diode phát quang (Led: Light Emitting Diode) Diode phát quang cĩ cấu tạo gồm một lớp tiếp xúc P-N, Diode phát quang được làm từ các chất Ga – As, Ga – P, Ga As – P, Si – C. Thơng thường dịng điện đi qua vật dẫn điện sẽ sinh ra năng lượng dưới dạng nhiệt. Do đĩ ở mơt số chất bán dẫn đặc biệt này khi cĩ dịng điện đi qua thì cĩ hiện tượng bức xạ quang (phát ra ánh sáng).
• Diode Ga – As: cho ra ánh sáng hồng ngoại mà mắt nhìn khơng thấy được. • Diode Ga As – P: cho ra ánh sáng khả kiến, khi thay đổi hàm lượng photpho sẽ cho ra ánh sáng khác nhau như đỏ, cam, vàng. • Diode Ga – p pha thêm tạp chất sẽ bức xạ cho ánh sáng. Tùy loại tạp chất mà diode cĩ thể cho ra các màu từ đỏ, cam, vàng, xanh lá cây. • Diode Si – C khi pha thêm tạp chất sẽ cho ra ánh sáng màu xanh da trời.
KÝ HIỆU VÀ HÌNH DẠNG CỦA DIODE PHÁT QUANG
 Khi phân cực thuận: - Led đỏ: VD = 1,4V ÷ 1,8V - Led vàng: VD = 2V ÷ 2,5V - Led xanh lá: VD = 2V ÷ 2,8V Dịng điện qua led: ID = 5mA ÷ 20mA (thường chọn 10 mA).  Led thường được dùng trong các mạch báo hiệu, chỉ thị trạng thái của mạch
4. Diode tách sĩng  Diode tách sĩng là loại diode làm việc với dịng điện xoay chiều cĩ tần số cao, cĩ dịng điện chịu đựng nhỏ (IDmax= vài chục mA) và điện áp ngược cực đại thấp (VRmax = vài chục v). Diode tách sĩng thường là loại Ge.  Diode tách sĩng ký hiệu như diode thường nhưng vỏ cách điện bên ngồi thường là thuỷ tinh trong suốt.
5. Diode biến dung Diode biến dung là loại diode cĩ điện dung ký sinh thay đổi theo điện áp phân cực. Điện dung CD cĩ trị số được tính theo cơng thức: S d là bề dày điện mơi CD : hằng số điện mơi d S: tiết diện mối nối
ĐẶC TÍNH CỦA DIODE BIẾN DUNG ID CD VRmax V VD VRmax V VD
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (Bipolar Junction Transistor – BJT) Mục tiêu thực hiện: Học xong bài này học viên cĩ khả năng: -Nắm vững cấu tạo, nguyên lý làm việc của transistor, các cách mắc cơ bản, và đặc trưng của từng sơ đồ. -Biết sử dụng các loại BJT trong các mạch điện tử chức năng: tính tốn, thiết kế các sơ đồ khuếch đại, sơ đồ khĩa
1. Cấu tạo:  BJT gồm 3 lớp bán dẫn tạo bởi 2 tiếp giáp p-n trong đĩ lớp giữa rất mỏng (cỡ 10-4 cm) và khác loại dẫn với 2 lớp bên. - Lớp giữa là bán dẫn loại p ta cĩ BJT loại n-p-n - Lớp giữa là bán dẫn loại n ta cĩ BJT loại p-n-p + +  Lớp cĩ mật độ tạp chất cao nhất ( ký hiệu n hoặc p ) gọi là miền phát (emitter).  Lớp cĩ mật độ tạp chất thấp hơn ( ký hiệu n hoặc p) gọi là miền thu (collector).  Lớp cĩ mật độ tạp chất rất thấp gọi là miến gốc (base).
2. Nguyên lý làm việc và khả năng khuếch đại của BJT - Vùng thứ nhất giữa miền phát và miền gốc gọi là vùng tiếp giáp emitter JE. - Vùng thứ hai giữa miền gốc và miền thu gọi là vùng tiếp giáp collector JC. - Nguồn E1 (1 vài volt) làm tiếp giáp JE phân cực thuận. - Nguồn E2 (5 20V) làm tiếp giáp JC phân cực ngược.
Ký hiệu của transistor Transistor loại npn Transistor loại pnp
Nguyên lý làm việc của transistor  Khi chưa cĩ nguồn phân cực: trong mỗi vùng nghèo JE, JC tồn tại 1 hiệu điện thế tiếp xúc. Hiệu điện thế này xác lập hàng rào điện thế duy trì trang thái cân bằng của vùng tiếp giáp.
Khi cĩ E2, vùng JC pcn, qua vùng nghèo JC cĩ 1 dịng rất nhỏ do các hạt dẫn thiểu số của vùng collector và base tạo nên, ký hiệu là ICBO. Ta gọi đĩ là dịng điện ngược collector. Khi cĩ thêm nguồn E1, JE pct, điện tử miền n+ tràn qua vùng p và lỗ trống từ p tràn qua miền n+. Chỉ 1 bộ phận rất nhỏ điện tử phun từ n+ bị tái hợp cịn đại bộ phận vẫn tiếp tục khuếch tán qua miền base tới vùng nghèo JC, các điện tử này bị điện trường của tiếp giáp JC tăng tốc chạy về collector để tạo nên phần chủ yếu của dịng điện trong mạch collector α. IE, trong đĩ: Số điện tử tới được cực C Tổng số điện tử xuất phát từ cực E
Các hệ thức cơ bản:  Dịng điện tổng trong mạch collector: IC = . IE + ICBO . IE (vì ICBO rất nhỏ so với . IE ). Theo định lý dịng tại điểm nút: IE = IB + IC IC vì IB << IC
Quan hệ giữa các dòng điện transistor  Alpha dc : dc là hệ số truyền đạt dòng điện IC dc = IE  Beta dc : dc là độ khuếch đại dòng điện IC dc = IB
Các chế độ làm việc của BJT:  Khuếch đại nếu JE pct, JC pcn.  Làm việc như một khố điện tử:  khố đĩng nếu cả hai tiếp giáp JE, JC đều phân cực ngược,  khố mở (trạng thái dẫn bão hồ), nếu cả hai đều phân cực thuận.
3. Các cách mắc cơ bản của BJT Transistor cĩ 3 cực (E, B, C), nếu đưa tín hiệu vào trên 2 cực và lấy tín hiệu ra trên 2 cực thì phải cĩ một cực là cực chung. Như vậy, transistor cĩ 3 cách mắc cơ bản: - Base chung (CB – Common Base) - Emitter chung (CE – Common Emitter) - Collector chung (CC – Common Cpllector)
Sơ đồ base chung (B.C) - Dịng điện vào là dịng emitter. - Dịng ra là dịng collector. - Điện áp vào là VEB. - Điện áp ra là VCB. - Điện áp ra cùng pha với điện áp vào.
Sơ đồ emitter chung (E.C) - Dịng điện vào là dịng IB. - Dịng ra là dịng IC. - Điện áp vào là VBE. - Điện áp ra là VCE. - Điện áp ra ngược pha với điện áp vào.
Sơ đồ collector chung (C.C) - Dịng điện vào là dịng - Dịng ra là dịng - Điện áp vào là - Điện áp ra là - Do điện áp ra cùng pha và xấp xỉ với điện áp vào, điện trở vào rất lớn, điện trở ra rất nhỏ nên C.C cịn gọi là mạch lặp lại điện áp (voltage follower).
Đặc tuyến ra: - Miền trái đường VCEbh là miền bão hồ:JE, JC pct. - Miền khố là miền phía dưới đường IB=0, JE, JC pcn. - Miền tích cực là miền ở giữa. Trong miền này tiếp giáp JE pct, tiếp giáp JC pcn. Miền này được dùng để khuếch đại điện áp, dịng điện hoặc cơng suất. - Miền đánh thủng: Với VCE quá lớn, dịng IC tăng mạnh dẫn đến tiếp giáp JC bị đánh thủng và BJT bị hư hỏng.
Tham số xoay chiều và mạch tương đương của transistor - Thực tế, transistor làm việc với tín hiệu nhỏ và cĩ thể xem nĩ như một phần tử tuyến tính, quan hệ giữa dịng và áp trên nĩ được biểu diễn bằng những hàm bậc nhất. - Do đĩ, ở trạng thái động với tín hiệu lối vào nhỏ ta cĩ thể coi transistor như một mạng bốn cực tuyến tính
Tham số xoay chiều của transistor Chọn I1, V2 làm hai biến độc lập và V1, I2 là hàm của chúng: V1 = f1 (I1,V2) I2 = f2 (I1,V2) Lấy vi phân tồn phần: Hệ phương trình cơ bản dùng tham số h biểu diễn mạng bốn cực: v1= h11 i1 + h12 v2 i2 = h21 i1 + h22 v2 trong đĩ:
Ý nghĩa của các tham số xoay chiều - Trở kháng vào của BJT khi điện áp xoay chiều ở lối ra bị ngắn mạch. - Hệ số khuếch đại dịng của BJT khi điện áp xoay chiều ở lối ra bị ngắn mạch:
Ý nghĩa của các tham số xoay chiều - Dẫn nạp ra của BJT khi dịng xoay chiều ở lối vào bị hở mạch - Hệ số hồi tiếp điện áp của BJT khi dịng xoay chiều ở lối vào bị hở mạch:
Mạch tương đương của transistor - Như vậy phẩm chất, tính năng của transistor thể hiện qua giá trị các tham số xoay chiều hij của BJT. - Về mặt tốn học, các tham số xoay chiều là những đạo hàm riêng biểu thị cho độ dốc (hoặc nghịch đảo độ dốc) của những đặc tuyến tĩnh tương ứng. Các tham số này chỉ dùng trong trường hợp BJT làm việc với tín hiệu nhỏ.
Mạch phân cực cho BJT Phân cực transistor là cung cấp điện áp nguồn một chiều cho các cực của nĩ sao cho các dịng IB, IC và điện áp VCE cĩ các trị số thích hợp. Phân cực cho BJT Điều kiện dẫn mở của transistor: Loại npn, VBE = 0,6V với Si = 0,2V với Ge VCE = 1/ 3 ÷ 2/ 3 VCC Loại pnp, VEB = 0,6V với Si = 0,2V với Ge VCE = 1/ 3 ÷ 2/ 3 VCC
Phân cực kiểu định dịng base (IB)
Phân cực định dịng IB cĩ thêm điện trở RE
Phân cực kiểu phân áp
Phân cực nhờ hồi tiếp từ collector
7. Các thơng số tới hạn của BJT 1. Dịng cực đại cho phép 2. Điện áp cực đại cho phép 3. Cơng suất tiêu tán cực đại cho phép 4. Tần số tới hạn.
Chương 6:TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET Mục tiêu thực hiện: - Cấu tạo, nguyên lí làm việc của transistor trường, đặc tuyến volt-ampere. - Ưu việt của FET so với BJT. - Biết sử dụng các loại FET trong các mạch điện tử chức năng.
1. Mở đầu So sánh: - BJT: 2 tiếp giáp p-n, 2 loại hạt dẫn đs và ts. - FET:1 tiếp giáp p-n, 1 lọai hạt dẫn đs.Điều khiển bằng E. - FET cĩ các tính năng ưu việt hơn BJT: RV lớn, AV cao, ít tiêu thụ năng lượng, thích hợp cho cơng nghệ vi điện tử, cơng nghệ bán dẫn
2. Phân loại Transistor hiệu ứng trường FET gồm cĩ 2 loại chính: - FET điều khiển bằng tiếp giáp p – n ( JFET = Junction Field Effect Transistor). - FET cĩ cực cửa cách li ( IG-FET = Isolated Gate Field Effect Transistor) hay MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor FET). - MOSFET chia làm 2 loại: MOSFET kênh cĩ sẵn (D – MOSFET = Depletion MOSFET). MOSFET kênh cảm ứng ( E – MOSFET = Enhancement MOSFET).
3. JFET 3.1 Cấu tạo của JFET: JFET kênh n: 1 thỏi bán dẫn Si loại n hình trụ. Đáy trên - cực máng D (drain) Đáy dưới - cực nguồn S (source). Bao quanh là 1 lớp bán dẫn loại p - dùng làm - cực cửa G (gate). Phần thể tích cịn lại của thỏi Si khơng bị vùng nghèo chốn chỗ gọi là kênh dẫn.
Ký hiệu của JFET kênh N và kênh P
3.2. Nguyên lý làm việc của JFET  ED , tạo dịng ID chạy qua kênh dẫn.  EG đặt VGS giữa cực G và cực S, làm cho p-n pcn, bề dày vùng nghèo tăng lên và tiết diện của kênh dẫn bị thu hẹp. Nếu giữ ED khơng đổi, khi tăng EG dịng ID giảm.  Đặt giữa G và S 1tín hiệu xoay chiều eS. Dịng ID tạo một điện áp trên điện trở RD cĩ cùng dạng với eS nhưng với biên độ lớn hơn, ta nĩi J-FET đã khuếch đại tín hiệu.
3.3. Đặc tuyến V-A (xét loại kênh n) VGS = 0 chia đặc tuyến thành 3 đoạn:Miền điện trở, miền thắt kênh, miền đánh thủng. VGS ≠ 0, tiếp giáp p-n pcn nhiều hơn, điện trở kênh dẫn tăng và dịng ID nhỏ hơn. VGS càng âm, ID càng giảm.
- BJT : IC = f (IB) = IB - JFET: Cơng thức Shockley 2 ID = IDSS ( 1 – VGS / VP) ID (mA) UGS = 0V IDSS UGS = -1V UGS = -2V UGS = -3V UGS (V) U (V) -4 -3 -2 -1 0 DS
3.5 Các tham số đặc trưng 1. Điện trở vi phân lối ra (điện trở kênh dẫn) V r DS D VDS const ID 2. Hỗ dẫn (độ dốc đặc tuyến truyền đạt) ID gm V const DS gm = 7 ÷ 10mA/V. VGS 3. Điện trở vi phân lối vào (điện trở vào) V r GS i VDS const IG 4. Hệ số khuếch đại tĩnh VDS ID const VGS
3.6. Sơ đồ tương đương của J-FET Giữa hai cực vào G, S là điện trở vào ri. Giữa hai cực ra cĩ điện trở kênh dẫn rd và nguồn dịng gm VGS (phản ánh khả năng điều khiển dịng điện máng của điện áp vào VGS). Dịng qua tải mắc giữa hai cực ra D, S là: vDS iD gmvGS rD
4. Transistor trường cĩ cực cửa cách li (IG-FET hay MOS-FET) 4.1. Cấu tạo của MOS-FET kênh cĩ sẵn loại n - Từ phiến bán dẫn Si loại p, tạo trên bề mặt của nĩ một lớp bán dẫn loại n làm kênh dẫn. - Ở hai đầu kênh dẫn người ta khuếch tán hai vùng n+ dùng làm cực nguồn (S) và cực máng (D), phủ một màng SiO2 bảo vệ trên bề mặt phiến Si. - Phía trên màng này gắn một băng kim loại dùng làm cực cửa (G). Đáy của phiến Si gắn sợi dây kim loại dùng làm cực đế SUB (substrate). Nếu phiến bán dẫn là loại n, ta cĩ MOS-FET loại p.
4.2. Nguyên lí làm việc của MOS-FET kênh n - VDS (do nguồn ED), cĩ dịng ID tạo bởi hat dẫn đa số (điện tử). - VGS (do nguồn EG), điện trở kênh tăng và ID giảm. VGS càng âm, ID càng giảm.Chế độ làm việc này làm nghèo hạt dẫn vì thế được gọi là chế độ nghèo (depletion). - VGS > 0, thì càng tăng VGS, Rkênh giảm và ID càng tăng. Chế độ này Tầng khuếch đại được gọi là chế độ giàu dùng MOS-FET kênh n (enhancement).
4.3. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến V - A của MOS-FET kênh cĩ sẵn loại n. Mỗi đặc tuyến cũng cĩ ba đoạn tương ứng: - Đoạn ID tăng gần tuyến tính theo VDS, - Đoạn ID bão hồ (trạng thái thắt kênh) - Và đoạn đánh thủng.
4.4. Cấu tạo của MOSFET kênh cảm ứng Từ phiến bán dẫn Si loại p, hai vùng bán dẫn loại N pha nồng độ cao khơng dính liền nhau dùng làm cực nguồn (S) và cực máng (D), phủ một màng SiO2 bảo vệ trên bề mặt phiến Si. Phía trên màng này gắn một băng kim loại dùng làm cực cửa (G). Đáy của phiến Si gắn sợi dây kim loại dùng làm cực đế SUB (substrate). Nếu phiến bán dẫn là loại n, ta cĩ MOS-FET loại p.
4.5. Đặc tính của MOSFET kênh cảm ứng  Bình thường khơng cĩ dịng điện qua kênh, ID = 0 và điện trở giữa D và S rất lớn.  VGS> 0 thì điện tích dương ở cực G sẽ hút các điện tử của nền P về phía giữa 2 vùng bán dẫn N và kênh được liên tục khi đĩ cĩ dịng điện ID đi từ D sang S. Điện thế phân cực cho cực G càng tăng thì dịng ID càng lớn.
4.6. Nhận xét chung về J-FET và MOS-FET Như vậy, transistor trường thuộc loại linh kiện điều khiển bằng điện áp, cịn BJT thuộc loại điều khiển bằng dịng điện. Dịng điện máng ID tạo nên bởi chỉ một loại hạt dẫn (hạt đa số của kênh dẫn)- transistor trường thuộc loại đơn cực tính (unipolar). Các tham số của FET ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ và tạp âm nội bộ cũng thấp hơn so với BJT. Điện trở lối vào của FET rất lớn, dịng điện vào gần bằng 0 nên mạch vào hầu như khơng tiêu thụ năng lượng. Điều này rất thích hợp cho việc khuếch đại các nguồn tín hiệu yếu hoặc cĩ trở nội lớn.
Chương 7: NGUỒN ĐIỆN Mục tiêu thực hiện: - Các khối cấu thành nên nguồn điện 1 chiều - Nguyên lý hoạt động của các mạch chỉnh lưu, nhiệm vụ của mạch lọc và ổn áp 1 chiều dùng trong nguồn điện. - Ứng dụng của nguồn điện
2. Nhiệm vụ của các khối  Biến thế biến đổi điện áp xoay chiều U1 thành điện áp xoay chiều U2.  Mạch chỉnh lưu: chuyển điện áp xoay chiều U2 thành điện áp 1 chiều khơng bằng phẳng U3.  Bộ lọc: san bằng điện áp 1 chiều U3 thành điện áp 1 chiều U4 ít nhấp nhơ hơn.  Bộ ổn áp 1 chiều: ổn định điện áp ( dịng điện) ở đầu ra của nĩ.
Biến thế
3.1 Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ U m U O 0,318U m Um = 2 Urms : Điện áp đỉnh (V). U : Điện áp hiệu dụng (V). 2U rms rms U0 : Điện áp trung bình lối ra (V) UO 0,45Urms
3.2 Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ ( tồn kỳ ) 2 Uo U m 0,636U m 2 2 Uo U rms 0,9U rms
3.3 Mạch chỉnh lưu cầu diode 2 Uo U m 0,636U m 2 2 Uo U rms 0,9U rms
4.1 Bộ lọc dùng tụ điện
4.2 Mạch lọc RC
5.1 Mạch ổn áp dùng diode zener R UCC C DZ RL  Chỉ dùng cho các loại tải cĩ cơng suất nhỏ
5.2 Mạch ổn áp dùng transistor T R UCC RL Dz Vo = VB – VBE trong đĩ VB = VZ = hsố Vo = VZ – VBE = hsố
5.3 Mạch ổn áp song song R I IC IL IZ Dz T UCC RL IB RB Vo = VZ + VBE = hằng số. Vậy Vo được giữ ổn định mà chỉ tuỳ thuộc vào VZ.
6.1 Ổn áp cố định dùng IC Họ IC 78XX và 79XX  78XX: ổn áp nguồn dương  79XX: ổn áp nguồn âm  XX là chỉ điện áp ra  Điện áp vào: Vi = (XX ) từ 3v đến 35v.
Hình dạng IC ổn áp  Sơ đồ chân IC: 78xx: chân 1( In ), chân 2 (Mass), chân 3 (Out). 79xx: chân 1( Mass), chân 2 (In), chân 3 (Out).
Dịng ra cực đại của họ vi mạch 78XX, 79XX - 78LXX (Low power) Imax = 100mA. - 78MXX (Medium power) Imax = 500mA. - 78XX Imax = 1A 1,5A. - 78HXX (High power) Imax = 5A. - 78PXX (Puissance power) Imax = 10A.
Một số loại IC ổn áp thơng dụng Điện áp Điện áp vào Điện áp ra Điện áp vào tối Mã số ra tối thiểu Mã số (Vo) thiểu (Vi) (Vo) (Vi) +5 7.3 7905 -5 7.3 7806 +6 8.3 7906 -6 8.3 7808 +8 10.5 7908 -8 10.5 7809 +9 11.5 7909 -9 11.5 7810 +10 12.5 7910 -10 12.5 7812 +12 14.6 7912 -12 14.6 7815 +15 17.7 7915 -15 17.7 7824 +24 27.7 7924 -24 27.7
Mạch nguồn ổn áp 15V – 1A 2 x 1N4002 1,5 /10W 1 2 7812 1K Vo= 15V 3 Imax= 1A 100 F 0,22 F 50V 500
Mạch nguồn ổn áp 12V – 5A T 2 x 1N4002 0,3 2 HEP57003 3 Vo= 12V 5W Imax= 5A T1 0,02 F HEP5003  1 7812  2 5000 F 5000 F 0,68 F 50V 50V  3 1nF 22 F 25V
6.2 Vi mạch ổn áp cĩ điện áp ra thay đổi được  Cĩ nhiều loại IC ổn áp 3 chân điều chỉnh được như:  Loại ổn áp dương cĩ : LM 117, LM 217, LM 317, LM350. . . .  Loại ổn áp âm cĩ : LM 337. . .
Hình dạng của IC ổn áp cĩ điện áp ra thay đổi
Đối với IC ổn áp dương IC này cĩ thể cấp dịng tải lên đến 1,5A mức điện áp ra thay đổi được trong khoảng từ 1,25V đến 37V. Với lá nhơm giải nhiệt tốt, IC sẽ cấp dịng ra lớn mà vẫn ở trạng thái an tồn.  Chân 1: Chỉnh mức điện áp ra (ADJ).  Chân 2: Cho điện áp vào (Input).  Chân 3: Cho điện áp ra (Output).
V V in LM117L out LM117M LM117 LM150 R1 Cin 240 C I out 0.1 Adj 1 CAdj R 2 10 Điện áp ra R2 R2 Vout 1,25V (1 ) I Adj R2 VO 1,25V (1 ) R1 R1
Đối với IC ổn áp âm IC này cấp mức điện áp ra thay đổi được trong khoảng từ -1,25V đến -37V. Với lá nhôm giải nhiệt tốt, IC sẽ cấp dòng ra lớn mà vẫn ở trạng thái an toàn.  Chân 1: Chỉnh mức điện áp ra (ADJ).  Chân 2: Cho điện áp ra (Output).  Chân 3: Cho điện áp vào (Input).
Vin 3 Vout LM337 2  1 R1 C in Cout I 240 0.1 Adj 1 C R daj 2 10 R2 Điện áp ngõ ra là: VO 1,25V (1 ) R1
Nguồn ổn áp điều chỉnh được (1,2V đến 17V ) 1,5A D1 1N4002 V in Vout 35V LM317 1,2V 17V 1,5A R1 270 D2 C1 C I 3 2000 F Adj 10 F C2 10 R2 5K
Mạch nguồn ổn áp điều chỉnh từ 0V đến 35V V V in LM117 out 35V 0V 35V R C 1 C 1 120 3 2000 F IAdj 10 F C2 R2 3K 10 DZ 1,2V R3 680
Chương 8: BỘ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TỐN Mục tiêu thực hiện: - Khái niệm và cấu tạo của 1 bộ khuếch đại thuật tốn. - Ứng dụng của bộ khuếch đại thuật tốn
4. Mạch ổn áp dùng transistor T R UCC RL Dz Vo = VB – VBE trong đĩ VB = VZ = hsố Vo = VZ – VBE = hsố
μA709 operational amplifier
Mạch khuếch đại khơng đảo dấu
Mạch khuếch đại đảo dấu
Mạch khuếch đại vi sai
Mạch cộng đảo dấu
Mạch tích phân
Ứng dụng của opamp