›
›

Bài giảng Kỹ thuật điện tử - Chương 3: BJT và ứng dụng - Nguyễn Duy Nhật Viễn

ppt 79 trang ngocly 1530
Download
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Bài giảng Kỹ thuật điện tử - Chương 3: BJT và ứng dụng - Nguyễn Duy Nhật Viễn", để tải tài liệu gốc về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên

Tài liệu đính kèm:

  • pptbai_giang_ky_thuat_dien_tu_chuong_3_bjt_va_ung_dung_nguyen_d.ppt

Nội dung text: Bài giảng Kỹ thuật điện tử - Chương 3: BJT và ứng dụng - Nguyễn Duy Nhật Viễn

  1. Kỹ thuật điện tử Nguyễn Duy Nhật Viễn
  2. Chương 3 BJT và ứng dụng
  3. Nội dung n Cấu tạo BJT n Các tham số của BJT n Phân cực cho BJT n Mạch khuếch đại dùng BJT n Phương pháp ghép các tầng khuếch đại n Mạch khuếch đại công suất
  4. Cấu tạo BJT
  5. BJT (Bipolar Junction Transistors) n Cho 3 lớp bán dẫn tiếp xúc công nghệ liên tiếp nhau. n Các cực E: Emitter, B: Base, C: Collector. n Điện áp giữa các cực dùng để điều khiển dòng điện.
  6. Hai loại BJT NPN PNP E n p n C E p n p C Cấu tạo C Cấu tạo C B B B B Ký hiệu Ký hiệu E E
  7. Nguyên lý hoạt động n Xét BJT NPN E=EE+EC EE EC IE IC N P N E C B IB RE RC EE EC
  8. Nguyên lý hoạt động n Từ hình vẽ: ¨ IE = IB + IC n Định nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện: ¨ = IC /IE. n ĐỊnh nghĩa hệ số khuếch đại dòng điện: ¨  = IC / IB. n Như vậy, ¨  = IC / (IE –IC) = /(1- ); ¨ = / (+1). n Do đó, ¨ IC = IE; ¨ IB = (1- ) IE; ¨  100 với các BJT công suất nhỏ.
  9. Chiều dòng, áp của các BJT IE IC E C IE IC - VCE + E CE + VEC - C E C - - + + V V BE IB BC VEB VCB B EB IB CB + + - - B B npnnpn pnppnp IE = IB + IC IE = IB + IC VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB
  10. Ví dụ n Cho BJT như hình vẽ. C n Với IB = 50  A , IC = 1 mA + n Tìm: IE ,  và _ VCB IC IB n Giải: B n IE = IB + IC = 0.05 mA + 1 mA = 1.05 mA + V n  = IC / IB = 1 mA / 0.05 mA = 20 _ BE IE n = IC / IE = 1 mA / 1.05 mA = 0.95238 n còn có thể tính theo . E n =  = 20 = 0.95238 n  + 1 21
  11. Đặc tuyến tĩnh của BJT IC mA Vùng bão hòa IC Vùng tích IB UCE cực µA Q V RC cực RB IB Vùng cắt II == 00 U EB EC B CE n Giữ giá trị IB không đổi, thay đổi EC, xác định IC, ta có: n IC=f(UCE) IB=const
  12. Các tham số của BJT
  13. BJT như một mạng 4 cực n Xét BJT NPN, mắc theo kiểu E-C
  14. Tham số trở kháng zik n Hệ phương trình: n z11: Trở kháng vào của ¨ U1=z11I1+z12I2. BJT khi hở mạch ngõ ra. ¨ U =z I +z I . 2 21 1 22 2 n z12: Trở kháng ngược của n Ở dạng ma trận: BJT khi hở mạch ngõ ¨ U z z I . vào. 1 11 12 2 ¨ U z z I . 2 21 22 2 n z21: Trở kháng thuận của n z11=U1 , z12=U1 , BJT khi hở mạch ngõ ra. n I1 I2=0 I2 I1=0 n z22: Trở kháng ra của BJT khi hở mạch ngõ vào. n z21=U2 , z22=U2 , n I1 I2=0 I2 I1=0
  15. Tham số dẫn nạp yik n Hệ phương trình: n y11: Dẫn nạp vào của BJT ¨ I1=y11U1+y12U2. khi ngắn mạch ngõ ra. ¨ I =y U +y U . 2 21 1 22 2 n y12: Dẫn nạp ngược của n Ở dạng ma trận: BJT khi ngắn mạch ngõ ¨ I y y U . vào. 1 11 12 2 ¨ I y y U . 2 21 22 2 n y21: Dẫn nạp thuận của n y11= I1 , y12=I1 , BJT khi ngắn mạch ngõ ra. n U1 U2=0 U2 U1=0 n y : Dẫn nạp ra của BJT n y21= I2 , y22= I2 , 22 khi ngắn mạch ngõ vào. n U1 U2=0 U2 U1=0
  16. Tham số hỗn hợp hik n Hệ phương trình: n h11: Trở kháng vào của ¨ U1=h11I1+h12U2. BJT khi ngắn mạch ngõ ¨ I2 =h21I1+h22U2. ra. n Ở dạng ma trận: n h12: Hệ số hồi tiếp điện áp ¨ U h h I . của BJT khi hở mạch ngõ 1 11 12 2 ¨ I2 h21 h22 U2 . vào. n h11=U1 , h12=U1 , n h21: Hệ số khuếch đại dòng điện của BJT khi n I1 U2=0 U2 I1=0 ngắn mạch ngõ ra. n h21=I2 , h22=I2 , n h : Dẫn nạp ra của BJT n I U =0 U I =0 22 1 2 2 1 khi hở mạch ngõ vào.
  17. Phân cực cho BJT
  18. Phân cực cho BJT n Cung cấp điện áp một chiều cho các cực của BJT. n Xác định chế độ họat động tĩnh của BJT. n Chú ý khi phân cực cho chế độ khuếch đại: ¨ Tiếp xúc B-E được phân cực thuận. ¨ Tiếp xúc B-C được phân cực ngược. n Vì tiếp xúc B-E như một diode, nên để phân cực cho BJT, yêu cầu VBE V. ¨ Đối với BJT Ge: V~0.3V ¨ Đối với BJT Si: V~0.6V
  19. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh của BJT I =max n Đường tải tĩnh được vẽ B trên đặc tuyến tĩnh của BJT. Quan hệ: IC=f(UCE). n Điểm làm việc tĩnh nằm K trên đường tải tĩnh ứng với khi không có tín hiệu vào (xác định chế độ phân cực cho BJT). IB=0 n Điểm làm việc tĩnh nằm L càng gần trung tâm KL càng ổn định.
  20. Phân cực bằng dòng cố định n Xét phân cực cho BJT NPN n Áp dụng KLV cho vòng I: ¨ I =(V -U )/R . B B BE B I n Áp dụng KLV cho vòng II: ¨ UCE=VCC-ICRC.
  21. Phân cực bằng dòng cố định n Xác định điểm làm việc tĩnh: ¨ Phương trình tải tĩnh: n VCC=ICRC+UCE. n Là phương trình đường thẳng. n UCE=0, IC=VCC/RC. n IC=0, UCE=VCC. ¨ Điểm làm việc tĩnh: n Giao điểm giữa đường tải tĩnh với đặc tuyến BJT của dòng IB phân cực.
  22. Phân cực bằng dòng cố định n Tính ổn định nhiệt ¨ Khi nhiệt độ tăng, IC tăng, IC điểm làm việc di chuyển từ A A’’ sang A’. BJT dẫn càng mạnh, ICA’’ A’ nhiệt độ trong BJT càng tăng, ICA’ A càng làm IC tăng lên nữa. ICA ¨ Nếu không tản nhiệt ra môi trường, điểm làm việc có thể sang A’’ và tiếp tục. UCE UCEA ¨ Vị trí điểm làm việc thay đổi, tín hiệu ra bị méo. ¨ Trường hợp xấu nhất có thể làm hỏng BJT.
  23. Phân cực bằng dòng cố định n Ví dụ ¨ Cho mạch như hình vẽ, với VBB=5V, RBB=107.5k, =100, RCC=1k, V=0.6V, VCC=10V. ¨ Tìm IB, IC, VCE và công suất tiêu tán của BJT. ¨ Xác định điểm làm việc tĩnh của BJT.
  24. Phân cực bằng dòng cố định n Tìm IB, IC, VCE và công suất tiêu tán của BJT. ¨ Để BJT họat động ở chế độ khuếch đại, chọn UBE=V ¨ Áp dụng KLV cho nhánh B-E n IB=(VBB-UBE)/RBB~40A. n IC= IB=4mA ¨ Áp dụng KLV cho nhánh C-E: n UCE=VCC-ICRC=6V ¨ Công suất tiêu tán BJT: n P=UCE.IC=24mW.
  25. Phân cực bằng dòng cố định n Xác định điểm làm việc tĩnh: Ic(mA) ¨Phương trình tải tĩnh: 10 n VCC=ICRCC+UCE. n Là phương trình đường thẳng. A(6V,4mA) 40A n UCE=0, IC=VCC/RCC=10mA. 4 n IC=0, UCE=VCC=10V. U (V) ¨Điểm làm việc tĩnh: CE 6 10 n Giao điểm giữa đường tải tĩnh với đặc tuyến BJT của dòng IB phân cực (40). n Điểm làm việc nằm gần giữa đường tải tĩnh, mạch tương đối ổn định.
  26. Phân cực bằng điện áp hồi tiếp n Áp dụng KLV cho vòng I: ¨ IB=(UCE-UBE)/RB. n Áp dụng KLI cho nút C: ¨ I=IB+IC=IE. n Áp dụng KLV cho vòng II: ¨ UCE=VCC-IRC.
  27. Phân cực bằng điện áp hồi tiếp n Xác định điểm làm việc tĩnh: ¨ Phương trình tải tĩnh: n VCC=IRC+UCE=ICRC/ +U CE n Là phương trình đường thẳng. n UCE=0, IC= VCC/RC. n IC=0, UCE=VCC. ¨ Điểm làm việc tĩnh: n Giao điểm giữa đường tải tĩnh với đặc tuyến BJT của dòng IB phân cực.
  28. Phân cực bằng điện áp hồi tiếp n Tính ổn định nhiệt ¨ Khi nhiệt độ tăng, IC tăng từ ICA sang ICA’, điểm làm việc di chuyển từ A sang A’. ¨ UCE giảm xuống UCEA’. ¨ Mà IB=(UCE-UBE)/RB. Nên IB và UBE giảm, dẫn đến IC giảm trở lại. ¨ Điểm làm việc từ A’ lại trở về A. ¨ Mạch ổn định nhiệt.
  29. Phân cực bằng điện áp hồi tiếp n Hồi tiếp: ¨ Lấy 1 phần tín hiệu ngõ ra, đưa ngược về ngõ vào. n Hồi tiếp dương: ¨ tín hiệu đưa về cùng pha với ngõ vào. ¨ ứng dụng trong mạch dao động. n Hồi tiếp âm: ¨ tín hiệu đưa về ngược pha với ngõ vào. ¨ dùng để ổn định mạch. ¨ giảm hệ số khuếch đại.
  30. Phân cực bằng điện áp hồi tiếp n Mạch hồi tiếp âm điện áp bằng cách lấy điện áp UCE đưa về phân cực UBE cho BJT. n Mạch ổn định nhiệt nhưng hệ số khuếch đại giảm. n Khắc phục: ¨ Tách RB thành 2 điện trở và nối với tụ C xuống masse. ¨ Tụ C gọi là tụ thoát tín hiệu xoay chiều. ¨ Tín hiệu đưa về thoát xuống masse theo tụ C mà không được đưa về cực B của BJT
  31. Phân cực tự động n Áp dụng định lý nguồn tương đương Thevenin để đơn giản. ¨ Ngắn mạch điểm B: n Inm=VCC/RB1. ¨ Hở mạch điểm B: n Uhm=VCC/(RB1+RB2) = VB. n Rng=Uhm/Inm n Rng=RB1RB2/(RB1+RB2)=RB1//RB2=RB.
  32. Phân cực tự động n Ta có mạch tương đương như sau n Với n Áp dụng KLV cho nhánh B-E ¨ VB – IB.RB -UBE – IE.RE = 0. n Mà: IE = IB + IC = IB + IB= (1+ )IB n Suy ra: IB=(VB-UBE)/(RB+(1+ )RE)
  33. Phân cực tự động n Áp dụng KLV cho nhánh C-E: ¨ VCC=ICRC+UCE+IERE n Với IE= IC/(1+ ) n Thay vào, ta được: ¨ VCC=(RC+ RE/ )IC+UCE. n Với: ¨ =/(1+ )
  34. Phân cực tự động n Xác định điểm làm việc tĩnh: ¨ Phương trình tải tĩnh: n VCC=IC(RC+RE/ )+UCE. n Là phương trình đường thẳng. n UCE=0, IC= VCC/( RC+RE). n IC=0, UCE=VCC. ¨ Điểm làm việc tĩnh: n Giao điểm giữa đường tải tĩnh với đặc tuyến BJT của dòng IB phân cực.
  35. Phân cực tự động n Tính ổn định nhiệt ¨ Khi nhiệt độ tăng, IC tăng từ ICA sang ICA’, điểm làm việc di chuyển từ A sang A’. IC tăng làm IE tăng ¨ Mà VB= IB.RB +VBE + IE.RE. Nên IB và VBE giảm, dẫn đến IC giảm trở lại. ¨ Điểm làm việc từ A’ lại trở về A. ¨ Mạch ổn định nhiệt.
  36. Phân cực tự động n Mạch ổn định nhiệt bằng hồi tiếp âm dòng điện emitter qua RE. n RE gọi là điện trở ổn định nhiệt. n RE càng lớn thì mạch càng ổn định. n Là mạch được dùng nhiều nhất. n Tuy nhiên, hồi tiếp âm làm giảm hệ số khuếch đại. n Khắc phục: ¨ Mắc CE//RE. ¨ CE: tụ thoát tín hiệu xoay chiều.
  37. Mạch khuếch đại dùng BJT
  38. Các cách mắc mạch BJT n E-C (Emitter Common). ¨ Vào B ra C, E chung vào và ra n B-C (Base Common). ¨ Vào E ra C, B chung vào và ra n C-C (Colector Common). ¨ Vào B ra E, C chung vào và ra
  39. Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT n Mô hình : ¨ BJT được thay bằng mạch tương đương sau ¨ Dùng trong sơ đồ E-C và C-C VT: Thế nhiệt, 0 r =V /I VT~25.5mV ở 300 K T C
  40. Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT n Mô hình T: ¨ BJT được thay bằng mạch tương đương sau ¨ Dùng trong sơ đồ B-C VT: Thế nhiệt, 0 VT~25.5mV ở 300 K
  41. Quy tắc vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu xoay chiều n Đối với tín hiệu xoay chiều: ¨ Tụ điện xem như nối tắt. ¨ Nguồn một chiều xem như nối tắt.
  42. Mạch khuếch đại E-C n Sơ đồ mạch n Tác dụng linh kiện: ¨ RB1, RB2: Phân cực cho BJT Q. ¨ RC: Tải cực C. ¨ RE: Ổn định nhiệt. ¨ Rt: Điện trở tải. ¨ en, Rn: Nguồn tín hiệu và điện trở trong của nguồn. ¨ C1, C2: Tụ liên lạc, ngăn thành phần 1 chiều, cho tín hiệu xoay chiều đi qua. ¨ CE: Tụ thoát xoay chiều, nâng cao hệ số khuếch đại toàn mạch.
  43. Mạch khuếch đại E-C n Sơ đồ tương đương RB=R1//R2
  44. Mạch khuếch đại E-C n Điện trở vào: ¨ Gọi Rv: điện trở vào toàn mạch, rv: điện trở vào BJT. ¨ Ta có: n rv=uBE/iB=r =VT/IC. n Rv=RB//rv ¨ Nhận xét: rv~Rv n Điện trở ra: ¨ Gọi Rr là điện trở ra của mạch khi mạch không nối với Rt. ¨ Ta có: n Rr=RC
  45. Mạch khuếch đại E-C n Hệ số khuếch đại dòng điện: ¨Gọi KI là hệ số khuếch đại dòng điện: ¨Ta có: Với rv~Rv và RC>>Rt thì KI~-
  46. Mạch khuếch đại E-C n Hệ số khuếch đại điện áp: ¨Gọi KU là hệ số khuếch đại điện áp: ¨Ta có:
  47. Mạch khuếch đại E-C n Hệ số khuếch đại công suất: ¨ KP=KU.KI. n Pha của tín hiệu: ¨ KI<0 nên tín hiệu ngõ ra ngược pha tín hiệu ngõ vào.
  48. Mạch khuếch đại E-C n Nhận xét: ¨Mạch khuếch đại E-C có biên độ Ki, KU>1 nên vừa khuếch đại dòng điện, vừa khuếch đại điện áp. ¨Mạch khuếch đại E-C với KI, KU có dấu âm nên tín hiệu ngõ ra ngược pha với tín hiệu ngõ vào. ¨Điện trở vào và điện trở ra của mạch E-C có giá trị trung bình trong các sơ đồ khuếch đại.
  49. Mạch khuếch đại B-C n Sơ đồ mạch n Tác dụng linh kiện: ¨ RE: Phân cực cho BJT Q. ¨ RC: Tải cực C. ¨ Rt: Điện trở tải. ¨ en, Rn: Nguồn tín hiệu và điện trở trong của nguồn. ¨ C1, C2: Tụ liên lạc, ngăn thành phần 1 chiều, cho tín hiệu xoay chiều đi qua.
  50. Mạch khuếch đại B-C n Sơ đồ tương đương
  51. Mạch khuếch đại B-C n Điện trở vào: ¨ Gọi Rv: điện trở vào toàn mạch, rv: điện trở vào BJT. ¨ Ta có: n rv=uEB/iE=re=VT/IC. n Rv=RE//rv ¨ Nhận xét: rv rất nhỏ n Điện trở ra: ¨ Gọi Rr là điện trở ra của mạch khi mạch không nối với Rt. ¨ Ta có: n Rr=RC
  52. Mạch khuếch đại B-C n Hệ số khuếch đại dòng điện: ¨Gọi KI là hệ số khuếch đại dòng điện: ¨Ta có: Với rv~Rv và RC>>Rt thì KI~ , không khuếch đại dòng điện.
  53. Mạch khuếch đại B-C n Hệ số khuếch đại điện áp: ¨Gọi KU là hệ số khuếch đại điện áp: ¨Ta có: KI~1 nhưng Rt>>Rv, Rn nên KU>1 : mạch khuếch đại điện áp.
  54. Mạch khuếch đại B-C n Hệ số khuếch đại công suất: ¨ KP=KU.KI. n Pha của tín hiệu: ¨ KI>0 nên tín hiệu ngõ ra cùng pha tín hiệu ngõ vào.
  55. Mạch khuếch đại B-C n Nhận xét: ¨Mạch khuếch đại B-C có biên độ Ki 1 nên mạch không khuếch đại dòng điện, chỉ khuếch đại điện áp. ¨Mạch khuếch đại B-C với KI, KU có dấu dương nên tín hiệu ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ vào. ¨Điện trở vào của mạch B-C có giá trị nhỏ nhất trong các sơ đồ khuếch đại.
  56. Mạch khuếch đại C-C n Sơ đồ mạch n Tác dụng linh kiện: ¨ RB1, RB2: Phân cực cho BJT Q. ¨ RC: Tải cực C. ¨ RE: Tải cực E. ¨ Rt: Điện trở tải. ¨ en, Rn: Nguồn tín hiệu và điện trở trong của nguồn. ¨ C1, C2: Tụ liên lạc, ngăn thành phần 1 chiều, cho tín hiệu xoay chiều đi qua.
  57. Mạch khuếch đại C-C n Sơ đồ tương đương RB=R1//R2
  58. Mạch khuếch đại C-C n Điện trở vào: ¨ Gọi Rv: điện trở vào toàn mạch, rv: điện trở vào BJT. ¨ Ta có: n rv=uBE/iB=[iBr +iE(RE//Rt)]/iB=r +(1+)(RE//Rt) n rv=VT/IC+(1+)(RE//Rt). n Rv=RB//rv ¨ Nhận xét: rv~(1+)RE//Rt rất lớn n Điện trở ra: ¨ Gọi Rr là điện trở ra của mạch khi mạch không nối với Rt. ¨ Ta có: n Rr=RC
  59. Mạch khuếch đại C-C n Hệ số khuếch đại dòng điện: ¨Gọi KI là hệ số khuếch đại dòng điện: ¨Ta có: Với rv~Rv và RC>>Rt thì KI~1+
  60. Mạch khuếch đại C-C n Hệ số khuếch đại điện áp: ¨Gọi KU là hệ số khuếch đại điện áp: ¨Ta có: KI~(1+), Rv~rv~(1+)RE//Rt>>Rn nên KU~1: không khuếch đại điện áp.
  61. Mạch khuếch đại C-C n Hệ số khuếch đại công suất: ¨ KP=KU.KI. n Pha của tín hiệu: ¨ KI>0 nên tín hiệu ngõ ra cùng pha tín hiệu ngõ vào.
  62. Mạch khuếch đại C-C n Nhận xét: ¨Mạch khuếch đại C-C có biên độ Ki>1, KU~1 nên chỉ khuếch đại dòng điện, không khuếch đại điện áp. ¨Mạch khuếch đại C-C với KI, KU có dấu dương nên tín hiệu ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ vào. ¨Điện trở vào của mạch C-C có giá trị lớn nhất trong các sơ đồ khuếch đại. Mạch này dùng phối hợp trở kháng rất tốt.
  63. Phương pháp ghép các tầng khuếch đại
  64. Ghép tầng n Yêu cầu mạch khuếch đại từ tín hiệu rât nhỏ ở đầu vào thành tín hiệu rất lớn ở đầu ra. Không thể dùng 1 tầng khuếch đại mà phải dùng nhiều tầng. n Giải pháp: Ghép tầng n Hệ số khuếch đại bằng tích các hệ số khuếch đại các tầng
  65. Ghép tầng bằng tụ n Ưu: Đơn giản, cách ly thành phần 1 chiều giữa các tầng. n Nhược: Suy giảm thành phần tầng số thấp.
  66. Ghép tầng bằng biến áp n Ưu: Cho phép nguồn có điện áp thấp, dễ phối hợp trở kháng và thay đổi cực tính qua các cuộn dây. n Nhược: Đặc tuyến tần số không bằng phẳng trong dải tần, cồng kềnh, dễ hỏng.
  67. Ghép tầng trực tiếp n Ưu: Giảm méo tần số thấp. Đáp tuyến tần số bằng phẳng. n Nhược: Phức tạp.
  68. Mạch khuếch đại công suất
  69. Yêu cầu n Đươc sử dụng khi yêu cầu ngõ ra có công suất lớn. n Các thông số yêu cầu cho mạch khuếch đại công suất: ¨ Công suất ra tải. ¨ Công suất tiêu thụ. ¨ Hệ số khuếch đại. ¨ Độ méo phi tuyến. ¨ Đặc tuyến tần số.
  70. Chế độ làm việc của BJT n Chế độ A: ¨ BJT làm việc với cả hai bán kỳ của tín hiệu vào. ¨ Ưu: Hệ số méo phi tuyến nhỏ. ¨ Nhược: Hiệu suất thấp. <50% n Chế độ B: ¨ BJT chưa được phân cực, BJT làm việc với một bán kỳ của tín hiệu vào. ¨ Ưu: Hiệu suất cao, ~78% . ¨ Nhược: Méo phi tuyến
  71. Chế độ làm việc của BJT
  72. Chế độ làm việc của BJT n Chế độ AB: ¨ Là chế độ trung gian giữa chế độ A vfa chế độ B. ¨ BJT được phân cực yếu. n Chế độ C: ¨ BJT chỉ làm việc với 1 phần của 1 bán kỳ. ¨ Hiệu suất cao, ~100%. Dùng cho mạch tần số cao. n Chế độ D: ¨ BJT làm việc ở 1 trong hai trạng thái: ngưng dẫn hoặc dẫn bảo hòa. ¨ Hiệu suất cao, ~100%. Áp dụng trong kỹ thuật xung, số.
  73. Khuếch đại công suất chế độ A n Nhược: Yêu cầu điện trở tải phải lớn thì công suất ra mới lớn. Dùng cho mạch công suất nhỏ. n Khắc phục: Để phối hợp trở kháng, sử dụng biến áp.
  74. Khuếch đại công suất chế độ B có biến áp n Chế độ B: BJT Q1 và Q2 chưa được phân cực. n R: Đảm bảo chế độ làm việc cho Q1 và Q2. Mỗi bán kỳ chỉ có 1 trong hai BJT dẫn. n T1: Biến áp đảo pha, cho 2 tín hiệu ra ngược pha nhau. n T2: Biến áp xuất. n RL: Tải loa.
  75. Khuếch đại công suất chế độ B có biến áp n Nhược: Méo dạng tín hiệu (méo xuyên trục). n Khắc phục: Phân cực cho BJT. Họat động ở chế độ AB.
  76. Khuếch đại công suất chế độ AB có biến áp n Chế độ AB: Q1 và Q2 được phân cực yếu nhờ R1, R2. n T1: Biến áp đảo pha, cho 2 tín hiệu ra ngược pha nhau. n T2: Biến áp xuất. n RL: Tải loa.
  77. Khuếch đại công suất chế độ AB có biến áp n Q1, Q2 dẫn ngay với điện áp vào rất nhỏ nên hết méo xuyên trục. n Nhược: ¨ Hiệu suất giảm. ¨ Biến áp cồng kềnh
  78. Khuếch đại công suất chế độ AB không biến áp n Mạch đẩy kéo dùng BJT cùng loại
  79. Khuếch đại công suất chế độ AB không biến áp n Mạch đẩy kéo dùng BJT khác loại