Bài giảng Cơ sở truyền thông sợi quang - Chương 4: Bộ thu quang

Nội dung text: Bài giảng Cơ sở truyền thông sợi quang - Chương 4: Bộ thu quang

1. HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG BÀI GIẢNG MÔN CƠ SỞ TRUYỀN THÔNG SỢI QUANG Bộ môn: Thông tin quang - Khoa VT1 Năm biên soạn: 2010
2. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG Nội dung 1 Tổng quan về kỹ thuật thông tin quang 2 Sợi quang ChươngChương 3 Bộ phát quang 4 Bộ thu quang 5 Một số vấn đề trong thiết kế truyền TTQ đơn kênh điểm – điểm www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 2
3. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG Chương 4- Bộ thu quang Các khái niệm cơ bản Các phần tử chuyển đổi quang- điện bán dẫn (Photodiode) Các bộ tiền khuyếch đại Nhiễu trong bộ thu quang Các tham số của bộ thu quang www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 3
4. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (1) v Mạch thu quang: Optical Data Detector Preamp Equal Amp Filter Decision signal Clock . Nguồn thu quang: chuyển đổi O/E Recov . Bộ tiền khuyếch đại: chuyển đổi I/V và khuyếch đại, đảm bảo nhiễu thấp. . Bộ cân bằng: kết hợp với tiền khuyếch đại đảm bảo băng tần bộ thu . Bộ khuyếch đại: khuyếch đại và giữ ổn định tín hiệu điện đầu ra . Bộ lọc: hạn chế bớt nhiễu, loại bỏ các thành phần tần số không muốn . Mạch quyết định: Tái sinh tín hiệu số www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 4
5. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (2) v Độ đáp ứng: . Quá trình thu tín hiệu quang: hấp thụ năng lượng photon . Đối với vật liệu bán dẫn: năng lượng photon đủ lớn h Eg photon bị hấp thụ sinh ra cặp e - h tự do. . Dưới tác động của điện trường đặt vào các điện tử và lỗ trống bị quét ra mạch ngoài sinh ra dòng điện. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 5
6. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (3) v Độ đáp ứng: . Dòng quang điện tỉ lệ trực tiếp với công suất quang vào (4.1) Trong đó: R - độ đáp ứng (độ nhạy) của nguồn thu (đơn vị: A/W) . Hiệu suất lượng tử: (4.2) . Độ đáp ứng: (4.3) Hiệu suất chuyển đổi O/E. R tăng theo bước sóng. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 6
7. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (4) v Độ đáp ứng: . Sự phụ thuộc  vào : liên quan đến hệ số hấp thụ Giả sử lớp bán dẫn bọc lớp chống phản xạ công suất truyền qua lớp bán dẫn: (4.4) . Công suất bị hấp thụ: (4.5) . Mỗi photon bị hấp thụ cặp e-h tự do được tạo ra Hiệu suất lượng tử: (4.6) = 0 khi = 0 ,  1 khi W >> 1. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 7
8. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (5) v Độ đáp ứng: . Sự phụ thuộc vào : = 0 tại  = c tăng khi  giảm lớn ~ 104 cm-1  1 khi W ~ 10 m www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 8
9. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (6) v Thời gian lên và độ rộng băng tần: . Độ rộng băng tần của photodiode: Tốc độ tại đó nó đáp ứng với sự thay đổi công suất quang vào. . Thời gian lên: thời gian tại đó dòng tăng từ 10 đến 90 % giá trị đỉnh khi công suất quang vào dạng bậc. Tr phụ thuộc vào: - Thời gian mà các điện tử và lỗ trống dịch chuyển tới các điện cực ngoài. - Thời gian đáp ứng của mạch điện www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 9
10. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (7) v Thời gian lên và độ rộng băng tần: . Thời gian lên của mạch tuyến tính: thời gian đáp ứng tăng từ 10 đến 90 % giá trị đỉnh khi đầu vào dạng bậc. Điện áp đầu vào mạch RC thay đổi tức thời từ 0 đến V0 Điện áp đầu ra thay đổi: (4.7) Trong đó: R - điện trở, C - điện dung của mạch RC . Thời gian lên: (4.8) Trong đó: RC = RC - hằng số thời gian của mạch RC www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 10
11. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (8) v Thời gian lên và độ rộng băng tần: . Thời gian lên của photodiode: (4.9) Trong đó: tr - thời gian chuyển tiếp, RC - hằng số thời gian của mạch RC tương đương. . Thời gian chuyển tiếp: thời gian mất trước khi các hạt tải được gom sau khi sinh ra bởi hấp thụ photon. Thời gian chuyển tiếp cực đại: bằng với thời gian một điện tử mất để đi qua vùng hấp thụ tr giảm khi giảm W Tuy nhiên  giảm mạnh khi W < 3 Có sự bù trừ giữa độ rộng băng tần và độ đáp ứng (tốc độ và độ nhạy) của PD www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 11
12. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.1 CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN (9) v Thời gian lên và độ rộng băng tần: . Hằng số thời gian: giới hạn băng tần vì điện kí sinh. . Giá trị tr và RC phụ thuộc vào cấu trúc PD và có thể biến đổi trên một dải rộng. . Độ rộng băng tần của PD: (4.10) để hoạt động ở 10 Gb/s trở lên: tr và RC < 10 ps . Bên cạnh đó, một tham số quan trọng của PD là dòng tối: sinh ra khi không có tín hiệu quang. Một PD tốt: Id < 10 nA www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 12
13. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.2 DIODE THU QUANG P-N (1) . Cấu trúc: tiếp giáp p-n phân cực ngược vùng nghèo . Khi không có ánh sáng chiếu vào không có dòng www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 13
14. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.2 DIODE THU QUANG P-N (2) . Khi có ánh sáng chiếu vào sinh ra cặp e-h nhờ hấp thụ Dưới tác động của điện trường ngoài: e dịch chuyển về phía n, h dịch chuyển về phía p tạo dòng chạy ở mạch ngoài (dòng quang điện) . Các hạt tải sinh ra trong vùng nghèo (vùng tập trung điện trường lớn) trôi nhanh chóng về phía n hoặc p. . Các hạt tải sinh ra ngoài vùng nghèo: - Các điện tử sinh ra trong vùng p phải khuyếch tán tới biên vùng nghèo trước khi trôi về phía n. - Các lỗ trống sinh ra trong vùng n phải khuyếch tán tới biên vùng nghèo trước khi trôi về phía p. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 14
15. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.3 DIODE THU QUANG PIN (1) . Cấu trúc: gồm 3 lớp, lớp i được xen giữa lớp p và n . Lớp i có điện trở cao hầu hết điện áp rơi trên vùng này thành phần trôi >> thành phần khuyếch tán. . Độ rộng W được quyết định bởi độ dày lớp i www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 15
16. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.3 DIODE THU QUANG PIN (2) . Si, Ge: W ~ 20-50 m tr > 200 ps . InGaAs: W ~ 3-5 m tr ~ 10 ps B ~ 10 GHz (tr >> RC) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 16
17. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.3 DIODE THU QUANG PIN (3) . Nâng cao tính năng của PIN: - Cấu trúc dị thể kép loại bỏ dòng khuyếch tán - Hộp cộng hưởng F-P tăng hiệu suất lượng tử - Sử dụng ống dẫn sóng quang tăng hiệu suất lượng tử, giảm điện dung kí sinh và điện trở nội nối tiếp. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 17
18. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.4 DIODE THU QUANG APD (1) . Cấu trúc: gồm 4 lớp, bổ xung thêm 1 lớp p giữa lớp i và n+. . Điện trường cao ở vùng tiếp giáp p-n+ Vùng nhân . Hoạt động: - Hấp thụ chủ yếu tại vùng i - Các e trôi qua i tới vùng p-n+ Xảy ra quá trình nhân hạt tải (quá trình ion hoá do va chạm) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 18
19. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.4 DIODE THU QUANG APD (2) . Quá trình ion hoá do va chạm: Vùng nhân tồn tại điện trường đủ lớn (cường độ trường > 3x105 V/cm) gia tốc cho hạt tải có được năng lượng đủ lớn sinh ra e-h mới do va chạm Vùng nhân . Tốc độ sinh hạt tải mới được đặc trưng bởi các hệ số ion hoá do va chạm e, h www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 19
20. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.4 DIODE THU QUANG APD (3) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 20
21. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.4 DIODE THU QUANG APD (4) . Nâng cao tính năng của APD: - Cấu trúc vùng nhân và hấp thụ tách rời (SAM) - Cấu trúc vùng nhân, giảm dần và hấp thụ tách rời (SAGM) - Cấu trúc siêu mạng www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 21
22. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.4 DIODE THU QUANG APD (5) SAM Superlattice www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 22
23. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.5 CÁC BỘ TIỀN KHUẾCH ĐẠI (1) v Bộ tiền khuyếch đại trở kháng thấp + V G RL . Nguồn PD hoạt động với bộ khuyếch đại trở kháng thấp (trở kháng đầu vào ~ 50 ) qua 1 cáp đồng trục. . Điện trở tải được chọn bằng với trở kháng đầu vào bộ khuyếch đại. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 23
24. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.5 CÁC BỘ TIỀN KHUẾCH ĐẠI (2) v Bộ tiền khuyếch đại trở kháng cao . Trở kháng tải cao Giảm nhiễu nhiệt, tần số cắt của đáp ứng tần nhỏ Phải sử dụng thêm mạch cân bằng (mạch // R1C1) . Điện áp đầu ra được phân chia giữa trở kháng của mạch R1C1 và RL . Mạch tương đương: + V G Bé c©n b»ng RL www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 24
25. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.5 CÁC BỘ TIỀN KHUẾCH ĐẠI (3) v Bộ tiền khuyếch đại trở kháng cao . Sử dụng mạch hồi tiếp âm www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 25
26. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (1) v Nhiễu nổ: . Nguyên nhân: quá trình lượng tử hoá điện tích thành các hạt q hoặc tương đương với quá trình lượng tử hoá năng lượng ánh sáng thành các photon. . Các photon tới hoặc quá trình sinh các hạt tải bởi các photon là ngẫu nhiên được mô tả bởi thống kê Poisson. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 26
27. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (2) v Nhiễu nổ: . Mật độ phổ của nhiễu nổ là không đổi và được xác định: (4.11) . Phương sai nhiễu: (4.12) . Khi xét tới hàm truyền của các thành phần bộ thu: (4.13) (4.14) Trong đó: f - độ rộng băng tần nhiễu hiệu dụng. Ip - dòng trung bình đầu ra PD, s - dòng nhiễu rms www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 27
28. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (3) v Nhiễu nổ: . Đối với PIN: dòng sinh ra từ PD gồm 3 thành phần I = Ip + Ib + Id (4.15) Trong đó: Ip - dòng quang điện sinh ra do ánh sáng tới Ib - dòng do quá trình bức xạ nền Id - dòng tối sinh ra khi không có bức xạ ánh sáng đi vào, do nhiệt ở lớp tiếp giáp và dòng dò bề mặt vì các khuyết tật. . Đối với APD: quá trình nhân thác cũng đóng góp nhiễu (4.16) Trong đó: FA - hệ số nhiễu trội, là hàm của M và phụ thuộc vào vật liệu, dạng cường độ trường E và tốc độ ion hoá của các hạt tải www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 28
29. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (4) v Nhiễu nổ: . Hệ số nhiễu vượt: (4.17) Gần đúng: x FA M (4.18) Si: x ~ 0,3-0,5 Ge: x ~ 1 InGaAs: x ~ 0,5-0,7 www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 29
30. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (5) v Nhiễu nhiệt: . Tại nhiệt độ xác định, các điện tử chuyển động ngẫu nhiên trong vật dẫn (điện trở) gây ra thăng giáng dòng (thành phần nhiễu bổ xung gọi là nhiễu nhiệt - nhiễu Johnson) . Dòng quang điện sinh ra: (4.19) Trong đó: iT - sự thăng giáng dòng gây ra bởi nhiễu nhiệt . Mật độ phổ nhiễu: (4.20) Trong đó: kB - hằng số Boltzman, T - nhiệt độ tuyệt đối, RL - điện trở tải. . Phương sai nhiễu: (4.21) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 30
31. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (6) v Nhiễu nhiệt: . Bộ thu quang gồm nhiều thành phần điện khác nhau bổ sung nhiễu nhiệt. . Nhiễu bộ khuyếch đại (KĐ): chủ yếu nhiễu nhiệt (bổ xung phụ thuộc vào kiểu bộ tiền KĐ và bộ KĐ sử dụng. . Nhiễu nhiệt ở các bộ KĐ khác nhau được đặc trưng qua đại lượng Fn - hình ảnh nhiễu bộ khuyếch đại (4.22) Hệ số Fn đặc trưng cho sự tăng cường nhiễu nhiệt bởi các điện trở khác nhau được sử dụng trong các bộ tiền khuyếch đại và bộ khuyếch đại chính. www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 31
32. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (7) v Nhiễu tổng: . Dòng nhiễu tổng: cộng các đóng góp của nhiễu nổ và nhiễu nhiệt. . Vì is(t) và iT(t) là quá trình ngẫu nhiên độc lập thống kê gần đúng dạng Gauss. . Phương sai dòng tổng: (4.23) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 32
33. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (8) v Tỉ số tín hiệu trên nhiễu: . Tỉ số SNR đặc trưng cho chất lượng của bộ thu quang: (4.24) . Đối với các bộ thu sử dụng PIN: (4.25) Trong đó: độ đáp ứng www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 33
34. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.6 NHIỄU TRONG BỘ THU QUANG (9) v Tỉ số tín hiệu trên nhiễu: 2 2 . Giới hạn bởi nhiễu nhiệt (T >> s ): (4.26) 2 2 . Giới hạn bởi nhiễu nổ (T << s ): khi công suất quang lớn (4.27) . Đối với các bộ thu sử dụng APD: (4.28) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 34
35. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.7 CÁC THAM SÔ BỘ THU QUANG (1) v Tỉ số lỗi bit: . Tính năng bộ thu được đặc trưng bởi độ nhạy bộ thu. . Đối với hệ thống số: tính năng thể hiện qua tỉ số lỗi bít (BER) - xác suất lỗi (nhận sai bít) tại mạch quyết định bộ thu. (4.29) . Tín hiệu đầu vào mạch quyết định có giá trị được lấy mẫu thăng giáng quanh giá trị trung bình I1 hoặc I0. I1 - Dòng trung bình tương ứng với bit 1 I0 - Dòng trung bình tương ứng với bit 0 www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 35
36. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.7 CÁC THAM SÔ BỘ THU QUANG (2) v Tỉ số lỗi bit: . Mạch quyết định so sánh giá trị mẫu với giá trị ngưỡng ID - Quyết định là bit 1 nếu I > ID - Quyết định là bit 0 nếu I < ID www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 36
37. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.7 CÁC THAM SÔ BỘ THU QUANG (3) v Tỉ số lỗi bit: . Đối với bit 1, lỗi xảy ra nếu I ID . Xác suất lỗi: (4.30) Trong đó: p(1), p(0) - xác suất thu các bit 1 và 0 P(0/1) - xác suất quyết định bit 0 khi thu bit 1 P(1/0) - xác suất quyết định bit 1 khi thu bit 0 . Khi các bit 1 & 0 có xác suất xuất hiện như nhau: (4.31) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 37
38. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.7 CÁC THAM SÔ BỘ THU QUANG (4) v Công suất thu tối thiểu: . Xét trường hợp đơn giản: - Bit 0 không mang công suất quang P0 0 I0 = 0 - Bit 1 mang công suất P1 (4.32) trong đó: (4.90) công suất quang thu trung bình www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 38
39. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.7 CÁC THAM SÔ BỘ THU QUANG (5) v Công suất thu tối thiểu: . Đối với bộ thu PIN: giới hạn bởi nhiễu nhiệt (4.33) . Đối với bộ thu APD: tối ưu M P nhỏ nhất (4.34) (4.35) . Đối với bộ thu lý tưởng: (4.36) www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 39
40. BÀI GIẢNG MÔN KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG 4.7 CÁC THAM SÔ BỘ THU QUANG (6) v Giới hạn lượng tử: . Bộ thu lý tưởng: không nhiễu nhiệt, không dòng tối,  = 1, không nhiễu nổ đối với bit 0, chỉ cần 1 photon cho bit 1. . Nhiễu nổ tuân theo thống kê Poisson, không phải Gauss. . Đối với bit 0: Np = 0, P(1/0) = 0 . Đối với bit 1: P(0/1) = ? Lỗi xảy ra khi không có cặp hạt tải nào sinh ra (n = 0) P(0/1) = exp(-Np) (4.37) (4.38) Các bộ thu thực tế thường hoạt động xa giới hạn lượng tử > 20 dB www.ptit.edu.vn BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG - KHOA VT1 Trang 40